公开(公告)号：CN100480868C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN00130637.5

申请日：2000-10-06

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 中村洋一 ,  铃木信二郎 ,  喜纳秀树 ,  原健一 ,  佐佐木辉夫

IPC: G03G5/06 ,  G03G5/043

CPC classification number: G03G5/06 ,  G03G5/0612 ,  G03G5/0618 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0646 ,  G03G5/0696

Abstract: 提供一种具有高表面电荷保留率的电子照相光敏材料、含该光敏材料的电子照相光电导体和这种光敏材料及光电导体的制造方法，其特征在于向具有电荷产生功能的光敏材料中加入苯邻二甲酰亚胺盐化合物。