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发明公开
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118511283A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202380015757.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 俵武志 , 原田信介 , 加藤正史 , 福井琢也

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12

Abstract: 本发明的碳化硅半导体基板具备第一导电型的碳化硅半导体基板(1)、杂质浓度比碳化硅半导体基板(1)的杂质浓度低的第一导电型的第一半导体层(2)、第二导电型的第二半导体层(3)、第一导电型的第一半导体区(7)、沟槽(16)、第一基区(4)、第二导电型的第二基区(5)、第一半导体层(2)的处于第一基区(4)与第二基区(5)之间以及第一半导体层(2)的比第一基区(4)和第二基区(5)更靠碳化硅半导体基板(1)侧的区域添加了铝和氮而形成的共掺杂区(26、26’)。共掺杂区(26，26’)的载流子寿命为0.01μs以下。

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