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公开(公告)号：CN115692332A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210575697.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/00 , H01L29/739 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，在半导体装置的制造中，优选抑制切割时的损伤。所述半导体装置具备：半导体基板，其设置有有源部和包围有源部的边缘终端结构部；层间绝缘膜，其设置于半导体基板的上方；保护膜，其设置于层间绝缘膜的上方；以及突出部，其比边缘终端结构部远离有源部而设置且比层间绝缘膜突出，突出部不被保护膜覆盖，保护膜设置于比突出部靠有源部侧的位置。
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