公开(公告)号：CN115692332A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210575697.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松岛恒幸 ,  北原和弘 ,  儿玉奈绪子

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L29/739 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，在半导体装置的制造中，优选抑制切割时的损伤。所述半导体装置具备：半导体基板，其设置有有源部和包围有源部的边缘终端结构部；层间绝缘膜，其设置于半导体基板的上方；保护膜，其设置于层间绝缘膜的上方；以及突出部，其比边缘终端结构部远离有源部而设置且比层间绝缘膜突出，突出部不被保护膜覆盖，保护膜设置于比突出部靠有源部侧的位置。

公开(公告)号：CN115410977A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210291533.4

申请日：2022-03-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 北原和弘

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供具备半导体基板的半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造中优选提高生成量，半导体基板具有第一面、与第一面相反一侧的第二面，所述半导体装置的制造方法包括：表面处理阶段，在半导体基板的第一面设置第一抗蚀剂而进行处理；第一保护膜形成阶段，在半导体基板的第一面的上方形成第一保护膜；第二保护膜形成阶段，在第一保护膜的上方形成材料与第一保护膜的材料不同的第二保护膜；背面处理阶段，将第二保护膜保持在支承台，对半导体基板的第二面进行处理；以及保护膜去除阶段，利用对第二保护膜的去除性比对第一保护膜的去除性更高的有机溶剂来选择性地去除第二保护膜，第二保护膜的弹性模量高于第一抗蚀剂的弹性模量。