公开(公告)号：CN102341891A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157890.4

申请日：2009-12-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松山秀昭 ,  和田雄人

IPC: H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L31/04 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/24 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H05H2001/4682 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 在沉积室中的衬底上执行成膜过程。第一电极设置在沉积室中并接地。在沉积室中设置面对第一电极的第二电极。射频电源向第二电极提供射频功率。DC电源向第二电极提供DC偏压电压。控制单元调节偏压电压以使其小于在提供射频功率但没有提供偏压电压时第二电极的电位。以此方式，有可能在防止沉积过程中膜沉积速率减小的同时改进膜质量。