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公开(公告)号：CN116918073A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018147.6
申请日：2022-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置在比漂移区更靠半导体基板的背面侧的位置，且具有掺杂浓度的第一峰；以及第一晶格缺陷区，其在半导体基板的深度方向上设置在比第一峰更靠半导体基板的正面侧的位置，且具有复合中心，缓冲区具有氢化学浓度分布为峰的氢峰，其设置在比第一晶格缺陷区靠半导体基板的正面侧的位置，在半导体基板的深度方向上，沿从漂移区的上端起到氢峰为止的方向对掺杂浓度进行积分而得的积分浓度为临界积分浓度以上。
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