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发明公开
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN112466752A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010766060.X

申请日：2020-08-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大瀬直之 , 小岛贵任

IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L29/45

Abstract: 本发明提供作为混合有肖特基结和pn结的JBS结构的碳化硅二极管，维持SBD结构的低正向电压且提高浪涌电流耐量的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。使依次层叠与在氧化膜(51)的开口部(51a、51b)分别露出的p型区(13)和FLR(21)的连接区域(20a)部分整体接触的铝膜(53)和镍膜(54)而成的金属材料膜(52)与半导体基板(30)在低温和高温的两次热处理中发生反应，而自对准地在氧化膜(51)形成镍硅化物膜(33)。接下来，在去除剩余金属后，仅残留氧化膜(51)中的场氧化膜(15)部分，在场氧化膜(15)的接触孔(15a)所露出的有源区(10)和连接区域(20a)形成与n‑型漂移区(12)进行肖特基接合的钛膜(31)。

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