公开(公告)号：CN107430993A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019145.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 土田秀一 ,  宮泽哲哉 ,  米泽喜幸 ,  加藤智久 ,  児岛一聪 ,  俵武志 ,  大月章弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种抑制外延生长层的厚度、并且即使以大电流进行双极动作也有效地抑制从衬底上的外延生长层与衬底的界面扩展的带状堆垛层错的产生的外延晶片。外延晶片的制造方法包括以下步骤：在碳化硅的衬底之上，添加用于决定导电型的主掺杂物并且以比主掺杂物的掺杂浓度低的掺杂浓度来添加用于捕获少数载流子的副掺杂物，来外延生长以碳化硅为主成分的缓冲层，该缓冲层用于促进从耐压维持层向衬底的方向流动的少数载流子的捕获和消灭，该缓冲层的电阻比耐压维持层的电阻低(S1～S5)；以及在缓冲层之上外延生长耐压维持层。

公开(公告)号：CN107430993B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201680019145.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 土田秀一 ,  宮泽哲哉 ,  米泽喜幸 ,  加藤智久 ,  児岛一聪 ,  俵武志 ,  大月章弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种抑制外延生长层的厚度、并且即使以大电流进行双极动作也有效地抑制从衬底上的外延生长层与衬底的界面扩展的带状堆垛层错的产生的外延晶片。外延晶片的制造方法包括以下步骤：在碳化硅的衬底之上，添加用于决定导电型的主掺杂物并且以比主掺杂物的掺杂浓度低的掺杂浓度来添加用于捕获少数载流子的副掺杂物，来外延生长以碳化硅为主成分的缓冲层，该缓冲层用于促进从耐压维持层向衬底的方向流动的少数载流子的捕获和消灭，该缓冲层的电阻比耐压维持层的电阻低(S1～S5)；以及在缓冲层之上外延生长耐压维持层。