-
公开(公告)号：CN111886695B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980021141.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：电路基板；布线图案；在与基板面平行的平面内沿着第1方向设置的第1半导体芯片和第2半导体芯片；将第1半导体芯片和布线图案相连接的第1引线框；以及将第2半导体芯片和布线图案相连接的第2引线框，第1引线框和第2引线框分别具有：设置在半导体芯片的至少一部分的上方的芯片接合部；设置在布线图案的至少一部分的上方的布线接合部；以及将芯片接合部和布线接合部进行连接的搭接部，在第1方向上，第1引线框的搭接部和第2引线框的搭接部之间的间隔小于第1引线框的芯片接合部和第2引线框的芯片接合部之间的间隔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109673166B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201880002973.5
申请日：2018-01-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供半导体模块，其具备：第一引线框，其与第一臂电路的多个半导体芯片连接；第二引线框，其与第二臂电路的多个半导体芯片连接；第一主端子，其与第一引线框连接；以及第二主端子，其与第二引线框连接，第一引线框与第二引线框具有相对的部分，在第一引线框的第一端部具有与第一主端子连接的第一端子连接部，在第二引线框的第二端部具有与第二主端子连接的第二端子连接部，从第一引线框与第二引线框相对的部分看，第一端子连接部与第二端子连接部配置于相反侧。
-
公开(公告)号：CN109673166A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201880002973.5
申请日：2018-01-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供半导体模块，其具备：第一引线框，其与第一臂电路的多个半导体芯片连接；第二引线框，其与第二臂电路的多个半导体芯片连接；第一主端子，其与第一引线框连接；以及第二主端子，其与第二引线框连接，第一引线框与第二引线框具有相对的部分，在第一引线框的第一端部具有与第一主端子连接的第一端子连接部，在第二引线框的第二端部具有与第二主端子连接的第二端子连接部，从第一引线框与第二引线框相对的部分看，第一端子连接部与第二端子连接部配置于相反侧。
-
公开(公告)号：CN110504255B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201910257852.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 提供一种能够提高散热性能、从而能够通过热破坏耐受量的提高来确保可靠性的反向导通型半导体装置。该装置具备：半导体芯片，其具有上表面、第一边以及与第一边正交的第二边；晶体管部，其设置于半导体芯片，具有条状的多个主电流通路；多个二极管部，其设置于半导体芯片，与多个主电流通路平行地延伸；上表面电极，其设置于晶体管部及多个二极管部的上表面；以及布线构件，其具有矩形的平板部，该平板部在多个二极管部的上方经由接合构件来与上表面电极电连接。布线构件具有从平板部的端部向上表面电极的相反方向立起的导电部，平板部的端部被配置为与第一边平行。
-
公开(公告)号：CN111886695A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980021141.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：电路基板；布线图案；在与基板面平行的平面内沿着第1方向设置的第1半导体芯片和第2半导体芯片；将第1半导体芯片和布线图案相连接的第1引线框；以及将第2半导体芯片和布线图案相连接的第2引线框，第1引线框和第2引线框分别具有：设置在半导体芯片的至少一部分的上方的芯片接合部；设置在布线图案的至少一部分的上方的布线接合部；以及将芯片接合部和布线接合部进行连接的搭接部，在第1方向上，第1引线框的搭接部和第2引线框的搭接部之间的间隔小于第1引线框的芯片接合部和第2引线框的芯片接合部之间的间隔。
-
公开(公告)号：CN110504255A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910257852.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 提供一种能够提高散热性能、从而能够通过热破坏耐受量的提高来确保可靠性的反向导通型半导体装置。该装置具备：半导体芯片，其具有上表面、第一边以及与第一边正交的第二边；晶体管部，其设置于半导体芯片，具有条状的多个主电流通路；多个二极管部，其设置于半导体芯片，与多个主电流通路平行地延伸；上表面电极，其设置于晶体管部及多个二极管部的上表面；以及布线构件，其具有矩形的平板部，该平板部在多个二极管部的上方经由接合构件来与上表面电极电连接。布线构件具有从平板部的端部向上表面电极的相反方向立起的导电部，平板部的端部被配置为与第一边平行。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
