功率因数改善电路及半导体装置

    公开(公告)号:CN111033999B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201980004033.4

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明的功率因数改善电路在开关电源装置的负载为轻负载及空载中的任意一种时进行突发动作,基于输出电压(Vout),在禁止开关元件的开关动作的停止状态和允许开关元件的开关动作的动作状态之间进行切换,包括:输出与对输出电压(Vout)进行分压得到的电压(Vout’)和基准电压(Vth1)的误差相对应的第1电压(Vcomp)的第1电路;以及将由于开关元件的开关动作被禁止而降低的第1电压(Vcomp)的下限值箝位至高于功率因数改善电路的接地电压的下限电压(Vclp_L),并且将由于开关元件的开关动作而上升的第1电压(Vcomp)的上限箝位至上限电压(Vclp_H)的箝位电路。

    功率因数改善电路及半导体装置

    公开(公告)号:CN111033999A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201980004033.4

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明的功率因数改善电路在开关电源装置的负载为轻负载及空载中的任意一种时进行突发动作,基于输出电压(Vout),在禁止开关元件的开关动作的停止状态和允许开关元件的开关动作的动作状态之间进行切换,包括:输出与对输出电压(Vout)进行分压得到的电压(Vout’)和基准电压(Vth1)的误差相对应的第1电压(Vcomp)的第1电路;以及将由于开关元件的开关动作被禁止而降低的第1电压(Vcomp)的下限值箝位至高于功率因数改善电路的接地电压的下限电压(Vclp_L),并且将由于开关元件的开关动作而上升的第1电压(Vcomp)的上限箝位至上限电压(Vclp_H)的箝位电路。

    薄膜太阳能电池
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102770964A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201080063291.9

    申请日:2010-05-21

    Abstract: 公开了具有多个单元太阳能电池串联连接的结构的薄膜太阳能电池。在薄膜太阳能电池中,通过在每一单元太阳能电池中适当地设置集电孔来改进转换效率。在薄膜太阳能电池(10)中,形成各自具有层叠在绝缘基板(11)的正面上的光电转换部(15)、以及层叠在绝缘基板(11)的背面上的后电极层(18)的多个单元太阳能电池(UC),并且这些单元太阳能电池(UC)经由集电孔(19)和连接孔(20)串联连接。集电孔(19)分布在重叠区(A)中,在该重叠区(A)中构成每一单元太阳能电池(UC)的光电转换部(15)和后电极层(18)隔着绝缘基板(11)面向彼此,以使最接近的集电孔(19)之间的间隔相等。

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