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公开(公告)号：CN111952200A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010249079.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/67 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/46
Abstract: 本发明提供使用简易结构的段差治具的半导体模块的制造方法。提供一种半导体模块的制造方法，其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法，包括：通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。提供一种半导体模块，其具备鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体，散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
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