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公开(公告)号:CN104054252A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201380005245.7
申请日:2013-01-16
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K7/1432 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能提高安装基板的冷却效率,并能局部地对安装在基板上的任意的发热电路元器件进行冷却的小型的功率转换装置。该功率转换装置包括:半导体功率模块(11);冷却体(3),该冷却体(3)配置于所述半导体功率模块的一个面;以及安装基板(21),该安装基板(21)被支承在所述半导体功率模块的另一个面上,并安装有包含发热电路元器件的电路元器件,该发热电路元器件驱动所述半导体功率模块,将传热支承构件(26)配置于所述安装基板的一个面,将散热路径形成构件(31)配置于所述传热支承构件与所述冷却体之间,配置将所述散热路径形成构件、与形成于所述安装基板的电路图案金属部(24)相连接的传热连接构件(41)。
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公开(公告)号:CN104736981B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201380052097.4
申请日:2013-11-11
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01K1/12 , G01K7/16 , G01K7/22 , G01K7/42 , H01L27/0248 , H02H7/12 , H02M1/32 , H02M7/5387 , H02M2001/327 , H02P29/68
Abstract: 在对与热敏电阻一起内置于半导体模块中的半导体芯片的温度进行推定的半导体芯片温度推定装置中,具备:利用半导体芯片的电流以及半导体芯片内的半导体开关元件的开关频率等并通过运算对半导体芯片的损耗进行推定的损耗计算部(2);预先存储有温度上升量与半导体芯片的损耗之间的相关关系的存储部(3A),所述温度上升量是由热敏电阻检测出的温度检测值与用于对半导体模块进行冷却的制冷剂等冷却要素的温度之差;利用从损耗计算部(2)输出的半导体芯片损耗推定值与所述相关关系,并通过运算推定出热敏电阻的温度上升量的单元;以及从该温度检测值减去热敏电阻温度上升量推定值来推定冷却要素温度的加减运算(22),该半导体芯片温度推定装置将冷却要素温度推定值作为基础温度来推定半导体芯片的温度。由此,无需检测冷却要素温度的热敏电阻,而实现功率转换器的小型化,并降低成本。
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公开(公告)号:CN104736981A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201380052097.4
申请日:2013-11-11
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01K1/12 , G01K7/16 , G01K7/22 , G01K7/42 , H01L27/0248 , H02H7/12 , H02M1/32 , H02M7/5387 , H02M2001/327 , H02P29/68
Abstract: 在对与热敏电阻一起内置于半导体模块中的半导体芯片的温度进行推定的半导体芯片温度推定装置中,具备:利用半导体芯片内的半导体开关元件的电流及开关频率等并通过运算对半导体芯片的损耗进行推定的损耗计算部(2);预先存储有温度上升量与半导体芯片的损耗之间的相关关系的存储部(3A),所述温度上升量是由热敏电阻检测出的温度检测值与用于对半导体模块进行冷却的制冷剂等冷却要素的温度之差;利用从损耗计算部(2)输出的半导体芯片损耗推定值与所述相关关系,并通过运算推定出热敏电阻的温度上升量的单元;以及从该温度检测值减去热敏电阻温度上升量推定值来推定冷却要素温度的加减运算(22),该半导体芯片温度推定装置将冷却要素温度推定值作为基础温度来推定半导体芯片的温度。由此,无需检测冷却要素温度的热敏电阻,而实现功率转换器的小型化,并降低成本。
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公开(公告)号:CN104054252B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380005245.7
申请日:2013-01-16
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K7/1432 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能提高安装基板的冷却效率,并能局部地对安装在基板上的任意的发热电路元器件进行冷却的小型的功率转换装置。该功率转换装置包括:半导体功率模块(11);冷却体(3),该冷却体(3)配置于所述半导体功率模块的一个面;以及安装基板(21),该安装基板(21)被支承在所述半导体功率模块的另一个面上,并安装有包含发热电路元器件的电路元器件,该发热电路元器件驱动所述半导体功率模块,将传热支承构件(26)配置于所述安装基板的一个面,将散热路径形成构件(31)配置于所述传热支承构件与所述冷却体之间,配置将所述散热路径形成构件、与形成于所述安装基板的电路图案金属部(24)相连接的传热连接构件(41)。
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公开(公告)号:CN102347656B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201110217075.1
申请日:2011-07-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02K1/27
Abstract: 本发明提供一种永磁型旋转机,可以确保制作容易性,并抑制制作费用增加,且能提高永久磁铁的耐减磁性。永磁型旋转机包括卷绕线圈(7)的定子(2),和具有隔开空隙以旋转自如的方式配设在该定子的内侧的转子铁芯(12)的转子(3);上述转子铁芯(12)在圆周方向以等间隔形成沿着轴向延伸并朝外周侧张开的V字形状的磁铁插入孔(13a、13b),在该磁铁插入孔插入永久磁铁(14),上述永久磁铁(14)的与轴垂直方向的截面形状形成为长方形,在插通上述磁铁插入孔的上述永久磁铁的外周端侧,形成第一磁通量阻挡部(15a、15b),同时,在该永久磁铁的外周端侧的上述磁极侧,形成由提高耐减磁性的第二磁通量阻挡部(16a、16b)。
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公开(公告)号:CN102347656A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201110217075.1
申请日:2011-07-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02K1/27
Abstract: 本发明提供一种永磁型旋转机,可以确保制作容易性,并抑制制作费用增加,且能提高永久磁铁的耐减磁性。永磁型旋转机包括卷绕线圈(7)的定子(2),和具有隔开空隙以旋转自如的方式配设在该定子的内侧的转子铁芯(12)的转子(3);上述转子铁芯(12)在圆周方向以等间隔形成沿着轴向延伸并朝外周侧张开的V字形状的磁铁插入孔(13a、13b),在该磁铁插入孔插入永久磁铁(14),上述永久磁铁(14)的与轴垂直方向的截面形状形成为长方形,在插通上述磁铁插入孔的上述永久磁铁的外周端侧,形成第一磁通量阻挡部(15a、15b),同时,在该永久磁铁的外周端侧的上述磁极侧,形成由提高耐减磁性的第二磁通量阻挡部(16a、16b)。
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