半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN105321936B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201510307204.4

    申请日:2015-06-05

    Inventor: 东馆诚

    Abstract: 本发明提供一种能够同时防止焊料流动和抑制激光加工残余物的卡阻物的半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)包括:半导体芯片(20);固定有半导体芯片(20)的多个绝缘基板(2);散热片(1),该散热片(1)具有分别包围多个规定配置区域中的各个区域的多个第一沟槽(3)和比第一沟槽(3)浅且包围第一沟槽(3)的第二沟槽(4),其中,所述规定配置区域中分别配置有多个绝缘基板(2);以及,焊料(6),该焊料(6)填充于绝缘基板(2)与散热片(1)的配置区域之间。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN105321936A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510307204.4

    申请日:2015-06-05

    Inventor: 东馆诚

    Abstract: 本发明提供一种能够同时防止焊料流动和抑制激光加工残余物的卡阻物的半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)包括:半导体芯片(20);固定有半导体芯片(20)的多个绝缘基板(2);散热片(1),该散热片(1)具有分别包围多个规定配置区域中的各个区域的多个第一沟槽(3)和比第一沟槽(3)浅且包围第一沟槽(3)的第二沟槽(4),其中,所述规定配置区域中分别配置有多个绝缘基板(2);以及,焊料(6),该焊料(6)填充于绝缘基板(2)与散热片(1)的配置区域之间。

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