公开(公告)号：CN101440472A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810178706.1

申请日：2008-11-19

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 佐野真二 ,  郷原广道 ,  滨敏夫 ,  木村浩

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/044 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/546 ,  C23C14/548 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物。当客体材料与主体材料之比非常小时，很难非常精确地保持待气相沉积在工件表面上的客体材料的比率和客体材料的分布状态。根据本发明的真空气相沉积装置包括：真空室；设置在真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源；以及用于在真空室内将工件保持在固定状态的工件保持构件，工件具有将从第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的客体材料和主体材料沉积于其上的表面，该真空气相沉积装置还包括：屏蔽件，屏蔽件定位在第一气相沉积源和由工件保持构件保持的衬底之间，且引起在衬底表面上客体材料的气相沉积量小于主体的气相沉积量；屏蔽件驱动机构，屏蔽件驱动机构使屏蔽件绕第一轴线转动且使屏蔽件相对于第二轴线运动；以及单个驱动源，驱动源通过屏蔽件驱动机构驱动屏蔽件。