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公开(公告)号:CN103576475A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310113582.X
申请日:2013-04-03
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/08 , G03G5/0539 , G03G5/0542 , G03G5/0564 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/102 , G03G5/142 , G03G5/144 , G03G15/75
Abstract: 一种电子照相感光体,其包括圆筒形导电性基体和设置在该导电性基体上的感光层,所述基体由金属或合金形成并且具有100μm2以上的晶粒的平均面积。
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公开(公告)号:CN102402142A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201110090414.4
申请日:2011-04-11
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/751 , G03G5/0525 , G03G5/0539 , G03G5/0575 , G03G5/0614 , G03G5/071 , G03G5/14726 , G03G5/14769 , G03G5/14786 , G03G5/14791 , G03G5/14795 , G03G2215/00957
Abstract: 本发明涉及感光体及其制造方法、图像形成装置和处理盒。本发明提供的电子照相感光体按如下顺序包括:基体、感光层和表面保护层,其中所述保护层含有含量为90重量%~98重量%的固化性电荷输送材料的交联产物和含量为2重量%~10重量%的氟化树脂颗粒,并且所述保护层满足式(1):0.5≤b/a≤1,其中,“a”表示存在于从保护层的感光层侧表面到对应于保护层膜厚度的2/3位置的保护层的区域中的氟原子与碳原子、氧原子及氟原子之总和的比率,而“b”表示在从保护层的外表面到对应于保护层厚度的1/3位置的保护层的区域中的氟原子与碳原子、氧原子及氟原子之总和的比率。
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公开(公告)号:CN103576471B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201310166001.9
申请日:2013-05-08
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/0436 , G03G5/10 , G03G5/102 , G03G15/751
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体用导电性支持体、电子照相感光体、图像形成设备和处理盒。电子照相感光体用导电性支持体含有铝,其中所述导电性支持体具有32,000MPa~55,000MPa的杨氏模量。
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公开(公告)号:CN103376674B
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201310048304.0
申请日:2013-02-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供了一种电子照相感光体、处理盒以及成像装置,其中该电子照相感光体包括:导电基体;以及设置在导电基体上的单层感光层,该单层感光层含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料,其中,正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm2,并且负充电时的半衰减曝光量为正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。通过使用本发明的电子照相感光体,重像得到了抑制。
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公开(公告)号:CN106339637A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610202757.8
申请日:2016-04-01
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H04N1/2166 , G06F21/6245 , H04L67/1097 , H04N1/00344 , H04N1/342 , H04N1/44 , H04N2201/0094 , H04N2201/214 , G06F21/6218 , G06F2221/2141 , G06Q30/0283
Abstract: 本申请涉及信息处理装置、图像形成装置及信息处理方法。该信息处理装置包括:存储器、电子文档获得单元、属性信息获得单元、以及显示器。存储器存储服务器信息,在该服务器信息中,服务器与机密性信息和收费信息相关联。电子文档获得单元获得电子文档。属性信息获得单元获得属性信息,该属性信息包括与电子文档有关的机密性信息。服务器信息和属性信息,显示器根据显示如下各项:服务器,该服务器满足足以保存电子文档的机密性级别;和与该服务器有关的收费信息。
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公开(公告)号:CN103376674A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201310048304.0
申请日:2013-02-06
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/0614 , G03G5/06 , G03G5/0607 , G03G5/0612 , G03G5/0618 , G03G5/0672 , G03G5/0677 , G03G5/0696 , G03G21/18
Abstract: 本发明提供了一种电子照相感光体、处理盒以及成像装置,其中该电子照相感光体包括:导电基体;以及设置在导电基体上的单层感光层,该单层感光层含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料,其中,正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm2,并且负充电时的半衰减曝光量为正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。通过使用本发明的电子照相感光体,重像得到了抑制。
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公开(公告)号:CN103324041B
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201210467919.2
申请日:2012-11-19
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: C07C219/32 , G03G5/0603 , G03G5/0607 , G03G5/0614 , G03G15/75
Abstract: 本发明提供了电子照相感光体用添加剂、电子照相感光体、处理盒和图像形成装置,所述电子照相感光体用添加剂由式(I)表示:其中,在式(I)中,A表示源于由式(II)或式(III)表示的芳基胺的m价有机基团;T表示具有1~10个碳原子的二价烃基;Rf表示具有3~10个碳原子的支化烃基,其中至少一个氢原子被氟原子取代;l表示0或1;并且m表示1~4的整数:其中,在式(II)中,Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示具有取代基或不具有取代基的具有6~20个碳原子的芳基;在式(III)中,Ar4、Ar5、Ar6和Ar7各自独立地表示具有取代基或不具有取代基的具有6~20个碳原子的芳基;X表示由式(IV)、式(V)或式(VI)表示的二价有机基团:
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公开(公告)号:CN103309182A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201210574828.9
申请日:2012-12-26
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/06 , G03G5/0514 , G03G5/0567 , G03G5/0592 , G03G5/0596 , G03G5/076 , G03G5/1476 , G03G5/14786 , G03G5/14791 , G03G5/14795 , G03G15/00 , G03G21/18 , G03G2215/00957
Abstract: 本发明提供了电子照相感光体、处理盒、图像形成设备和图像形成方法。所述电子照相感光体包含导电性基板;感光层;和设置在该感光层上或者包含在该感光层中的表面层,表面层的表面粗糙度Rz为0.1μm~0.3μm,并且表面具有选自脂肪酸金属盐和氟树脂颗粒中的至少一种化合物,并且该感光体满足由以下表达式(1)和(2)表示的关系:Y≤-5X+150 表达式(1)Y≥-0.75X+30 表达式(2)其中,Y表示脂肪酸金属盐的覆盖率,并且X表示氟树脂颗粒的覆盖率。
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公开(公告)号:CN102707589A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201110353653.4
申请日:2011-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/75 , G03G5/0539 , G03G5/0564 , G03G5/0567 , G03G5/0571 , G03G5/0575 , G03G5/0592 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/1476 , G03G5/14765 , G03G5/14769 , G03G5/14791
Abstract: 本发明涉及一种电子照相感光体、图像形成装置和处理盒。所述电子照相感光体包含导电性基体和感光层,并使得构成所述感光层的最外表面的层通过使具有反应性羟基的交联性电荷输送材料和具有反应性烷氧基的交联性电荷输送材料聚合而形成,而且构成所述最外表面的层的外表面的电离电势比构成所述最外表面的层的内表面的电离电势高约0.1eV以上。
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公开(公告)号:CN103376675B
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201310008660.X
申请日:2013-01-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电子照相感光体,包括:导电基体以及单层感光层,所述单层感光层被设置在所述导电基体上,并且包含粘结剂树脂、选自羟基镓酞菁颜料和氯镓酞菁颜料中的至少一种电荷发生材料、由式(1)表示的空穴传输材料以及由式(2)表示的电子传输材料:式(1)式(2)。
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