公开(公告)号：CN110286432B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201910555170.9

申请日：2019-06-25

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 胡华奎 ,  郑衍畅 ,  唐冶 ,  王铭 ,  邱克强 ,  刘正坤 ,  付绍军 ,  杨春来 ,  王海

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明公开了一种X射线金透射光栅的制备方法，该方法先使用金属催化刻蚀技术制作大槽深、侧壁陡直且光滑的硅光栅掩模，然后在硅光栅掩模槽中电镀沉积黄金，最后去掉硅光栅掩模获得大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅。本发明与现有技术相比，其有益技术效果体现在：能制作出大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅。

公开(公告)号：CN110286432A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910555170.9

申请日：2019-06-25

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 胡华奎 ,  郑衍畅 ,  唐冶 ,  王铭 ,  邱克强 ,  刘正坤 ,  付绍军 ,  杨春来 ,  王海

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明公开了一种X射线金透射光栅的制备方法，该方法先使用金属催化刻蚀技术制作大槽深、侧壁陡直且光滑的硅光栅掩模，然后在硅光栅掩模槽中电镀沉积黄金，最后去掉硅光栅掩模获得大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅。本发明与现有技术相比，其有益技术效果体现在：能制作出大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅。