一种Sn@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN106077688A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610397220.1

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种Sn@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Sn@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中,该纳米胶囊的粒径为5~100nm。本发明采用等离子电弧放电法,将锡粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料,采用石墨作为阴极材料,引用氩气和甲烷作为工作气体,阴极石墨电极与阳极靶材锡‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离,阳极与阴极之间起电弧放电,即得Sn@C@g‑C3N4纳米复合物。该纳米复合物可见光催化活性高且制备过程简单、无后处理工序、成本低、易于实现工业化生产。

    一种钆酸锶纳米针及其制备方法

    公开(公告)号:CN105399131A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510972806.1

    申请日:2015-12-23

    CPC classification number: C01F17/0018 C01P2002/72 C01P2004/03 C01P2004/16

    Abstract: 本发明公开了一种钆酸锶纳米针及其制备方法,所述钆酸锶纳米针由BaGd2O4单相构成,长度为2~4μm,纳米针尖端直径为40~60nm。所述钆酸锶纳米针及其制备方法是:首先将水溶性钡盐与水溶性钆盐加入水中溶解,恒温后进行超声搅拌;其次将羧酸、聚二醇和表面活性剂添加到前述所得混合物之中进行反应;然后将反应后所得混合物置于反应釜内并密封,进行加热保温;最后将前述所得混合物冷却、离心分离、清洗、烘干后即得产物。本发明在制备过程中无需模版,需要的工艺条件简单,易于控制,加热不需要超过200oC,能大大降低能耗和生产成本。

    一种Ni@C@g-C3N4纳米复合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106001551B

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201610397247.0

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种Ni@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用,属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Ni@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中,其采用等离子电弧放电法,将镍粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料,采用石墨作为阴极材料,引用氩气和甲烷作为工作气体,阴极石墨电极与阳极镍‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离,阳极与阴极之间起电弧放电,即得Ni@C@g‑C3N4纳米复合物,该纳米复合物在2‑18GHz范围内具有良好的微波吸收性。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低,易于实现工业化生产。

    一种Sn@C@g-C3N4纳米复合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN106077688B

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201610397220.1

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种Sn@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Sn@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中,该纳米胶囊的粒径为5~100nm。本发明采用等离子电弧放电法,将锡粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料,采用石墨作为阴极材料,引用氩气和甲烷作为工作气体,阴极石墨电极与阳极靶材锡‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离,阳极与阴极之间起电弧放电,即得Sn@C@g‑C3N4纳米复合物。该纳米复合物可见光催化活性高且制备过程简单、无后处理工序、成本低、易于实现工业化生产。

    一种钆酸锶纳米针的制备方法

    公开(公告)号:CN105399131B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201510972806.1

    申请日:2015-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种钆酸锶纳米针及其制备方法,所述钆酸锶纳米针由BaGd2O4单相构成,长度为2~4μm,纳米针尖端直径为40~60nm。所述钆酸锶纳米针及其制备方法是:首先将水溶性钡盐与水溶性钆盐加入水中溶解,恒温后进行超声搅拌;其次将羧酸、聚二醇和表面活性剂添加到前述所得混合物之中进行反应;然后将反应后所得混合物置于反应釜内并密封,进行加热保温;最后将前述所得混合物冷却、离心分离、清洗、烘干后即得产物。本发明在制备过程中无需模版,需要的工艺条件简单,易于控制,加热不需要超过200oC,能大大降低能耗和生产成本。

    一种Ni@C@g-C3N4纳米复合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106001551A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610397247.0

    申请日:2016-05-31

    CPC classification number: B22F1/02 B22F1/0018 B22F9/14 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种Ni@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用,属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Ni@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中,其采用等离子电弧放电法,将镍粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料,采用石墨作为阴极材料,引用氩气和甲烷作为工作气体,阴极石墨电极与阳极镍‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离,阳极与阴极之间起电弧放电,即得Ni@C@g‑C3N4纳米复合物,该纳米复合物在2‑18GHz范围内具有良好的微波吸收性。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低,易于实现工业化生产。

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