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公开(公告)号：CN101976939A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010502449.X
申请日：2010-09-30
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明提供一种电流源MOSFET驱动芯片，属于电力电子芯片技术领域，该芯片用于提供同步整流电路中高端和低端MOSFET的PWM驱动信号。该芯片包括电平转换单元、逻辑时序单元、高端驱动单元、低端驱动单元，通过高端驱动单元及低端驱动单元中不同元器件按照特定的连接方式，将输入的PWM信号转变为所需的PWM驱动信号，以此控制同步整流电路中高端和低端MOSFET的开通关断。本发明的优点在于：高频下，芯片的高端驱动单元与外围器件连接构成高端驱动电路，高端驱动电路中的电感电流对同步整流电路中高端MOSFET进行充电时，因此减小了MOSFET源极引线寄生电感的影响，使得MOSFET相对更快地开通，继而减少了MOSFET的开通关断损耗；主电路MOSFET关断时释放的能量被电感回收，从而节约能损。
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公开(公告)号：CN102684462B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210176271.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种低端MOSFET负压箝位驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元；控制方法的步骤为：(1)控制S1与S4处于导通状态，S2与S3处于关断状态；(2)控制S1、S2、S3和S4处于关断状态，Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；(3)控制S2与S3处于导通状态，S1与S4处于关断状态，Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，Q瞬间被关断；(4)控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态，Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力，可有效防止开关器件的误导通。
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公开(公告)号：CN102638059A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210142055.7
申请日：2012-05-07
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02J3/38
CPC classification number: Y02E10/563
Abstract: 本发明属于单相光伏发电领域，公开了一种单相光伏并网发电系统功率解耦电路及其控制方法。该电路包括从左至右依次并联的光伏电源、BOOST升压单元、全桥逆变单元、功率解耦单元、LC滤波单元和电网。该方法步骤为：1）光伏电源的电压经BOOST升压单元进行升压；2）经步骤1）升压后的直流电压通过全桥逆变单元逆变成交流电压；3）功率解耦单元通过控制功率解耦单元中MOSFET开关管Sc1和Sc2的开通关断时序，在电感Lc上产生一个功率向量；步骤4）从步骤3）输出的交流并网电压信号由LC滤波单元滤波后接入电网。本发明的电路及其控制方法实现了以小容量薄膜电容代替大容量电解电容，提高了光伏系统的发电效率和使用寿命，有效降低了发电成本。
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公开(公告)号：CN103986315A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410258322.6
申请日：2014-06-10
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。该驱动电路包括由正电源VGG+、负电源VGG-、IGBT开关管S1、IGBT开关管S2、IGBT开关管S3、IGBT开关管S4、IGBT开关管S5、IGBT开关管S6(以下简称S1、S2、S3、S4、S5、S6)和滤波电感LR；正电源VGG+与S1集电极相连接，S1发射集与S2集电极相连接，S2发射极与负电源相VGG-连接，S3集电极与正电源VGG+相连接，S3发射集与S4集电极相连接，S4发射极与负电源相VGG-连接，滤波电感LR一端与S1发射集连接，另一端与S3发射集连接，S5集电集与S3发射集相连接，S5发射集与S6发射极相连接。本发明的电路和方法在提高IGBT开关速度、降低开关损耗的同时，保证了IGBT工作在其安全工作区内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102638059B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210142055.7
申请日：2012-05-07
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02J3/38
CPC classification number: Y02E10/563
Abstract: 本发明属于单相光伏发电领域，公开了一种单相光伏并网发电系统功率解耦电路及其控制方法。该电路包括从左至右依次并联的光伏电源、BOOST升压单元、全桥逆变单元、功率解耦单元、LC滤波单元和电网。该方法步骤为：1）光伏电源的电压经BOOST升压单元进行升压；2）经步骤1）升压后的直流电压通过全桥逆变单元逆变成交流电压；3）功率解耦单元通过控制功率解耦单元中MOSFET开关管Sc1和Sc2的开通关断时序，在电感Lc上产生一个功率向量；步骤4）从步骤3）输出的交流并网电压信号由LC滤波单元滤波后接入电网。本发明的电路及其控制方法实现了以小容量薄膜电容代替大容量电解电容，提高了光伏系统的发电效率和使用寿命，有效降低了发电成本。
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公开(公告)号：CN101976939B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010502449.X
申请日：2010-09-30
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明提供一种电流源MOSFET驱动芯片，属于电力电子芯片技术领域，该芯片用于提供同步整流电路中高端和低端MOSFET的PWM驱动信号。该芯片包括电平转换单元、逻辑时序单元、高端驱动单元、低端驱动单元，通过高端驱动单元及低端驱动单元中不同元器件按照特定的连接方式，将输入的PWM信号转变为所需的PWM驱动信号，以此控制同步整流电路中高端和低端MOSFET的开通关断。本发明的优点在于：高频下，芯片的高端驱动单元与外围器件连接构成高端驱动电路，高端驱动电路中的电感电流对同步整流电路中高端MOSFET进行充电时，因此减小了MOSFET源极引线寄生电感的影响，使得MOSFET相对更快地开通，继而减少了MOSFET的开通关断损耗；主电路MOSFET关断时释放的能量被电感回收，从而节约能损。
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公开(公告)号：CN103986315B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410258322.6
申请日：2014-06-10
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。该驱动电路包括由正电源VGG+、负电源VGG?、IGBT开关管S1、IGBT开关管S2、IGBT开关管S3、IGBT开关管S4、IGBT开关管S5、IGBT开关管S6(以下简称S1、S2、S3、S4、S5、S6)和滤波电感LR；正电源VGG+与S1集电极相连接，S1发射集与S2集电极相连接，S2发射极与负电源相VGG?连接，S3集电极与正电源VGG+相连接，S3发射集与S4集电极相连接，S4发射极与负电源相VGG?连接，滤波电感LR一端与S1发射集连接，另一端与S3发射集连接，S5集电集与S3发射集相连接，S5发射集与S6发射极相连接。本发明的电路和方法在提高IGBT开关速度、降低开关损耗的同时，保证了IGBT工作在其安全工作区内。
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公开(公告)号：CN102684462A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210176271.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元；控制方法的步骤为：（1）控制S1与S4处于导通状态，S2与S3处于关断状态；（2）控制S1、S2、S3和S4处于关断状态，Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；（3）控制S2与S3处于导通状态，S1与S4处于关断状态，Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，Q瞬间被关断；（4）控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态，Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力，可有效防止开关器件的误导通。
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公开(公告)号：CN2476824Y
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN01237413.X
申请日：2001-04-19
Applicant: 安徽工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种光电编码器及测速机性能自动测试装置,包括三相交流电源;小功率变频器;微型交流电机;标准编码器;法兰接手和连轴器;数据采集卡;信号调理模块;工业控制计算机。由于该装置采用高速A/D卡,通过计算机将脉冲编码器输出脉冲信号以模拟量的形式采集进来,实现了高速示波器功能,由脉冲编码器输出脉冲之间相互约束关系,导出一种全新的编码器性能定量测试方法,实现了对被测器件性能指标自动作出全面定量综合分析。
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