公开(公告)号：CN102592660B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201210036104.9

申请日：2012-02-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  柏娜 ,  谭守标 ,  李正平 ,  孟坚 ,  陈军宁 ,  徐超 ,  代月花 ,  龚展立

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种单端操作的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1～N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地，N3的栅极与行写控制信号RWR连接，N4的栅极与列写控制信号CWR连接，N2与P2组成一个反相器，其输出端连接到N2和P2的栅极，其输入端连接到P1的漏极，N5的栅极与读字线RWL连接，N5的漏极与读位线RBL连接，N6的源级与写位线WBL连接，N6的栅极与写字线WWL连接。

公开(公告)号：CN102592660A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210036104.9

申请日：2012-02-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  柏娜 ,  谭守标 ,  李正平 ,  孟坚 ,  陈军宁 ,  徐超 ,  代月花 ,  龚展立

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种单端操作的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1～N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地，N3的栅极与行写控制信号RWR连接，N4的栅极与列写控制信号CWR连接，N2与P2组成一个反相器，其输出端连接到N2和P2的栅极，其输入端连接到P1的漏极，N5的栅极与读字线RWL连接，N5的漏极与读位线RBL连接，N6的源级与写位线WBL连接，N6的栅极与写字线WWL连接。

公开(公告)号：CN202549310U

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201220051666.6

申请日：2012-02-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  柏娜 ,  谭守标 ,  李正平 ,  孟坚 ,  陈军宁 ,  徐超 ,  代月花 ,  龚展立

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种单端操作的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1～N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地，N3的栅极与行写控制信号RWR连接，N4的栅极与列写控制信号CWR连接，N2与P2组成一个反相器，其输出端连接到N2和P2的栅极，其输入端连接到P1的漏极，N5的栅极与读字线RWL连接，N5的漏极与读位线RBL连接，N6的源级与写位线WBL连接，N6的栅极与写字线WWL连接。