公开(公告)号：CN115346580A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202211028643.8

申请日：2022-08-25

Applicant: 安徽大学

Inventor： 许耀华 ,  陈小杰 ,  王翊 ,  柏娜 ,  高东升 ,  杨帅

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明公开一种存储单元、差分存储单元及非易失性存储器，该存储单元包括控制晶体管，作为电容器件，所述控制晶体管的阱作为控制端口；第一读取晶体管，第一读取晶体管的源极与阱相连作为读取端口；第二读取晶体管，第二读取晶体管的阱和源极与地电压相连；及选择晶体管，选择晶体管的栅极作为选择端口，选择晶体管的源极作为信号输出端口，选择晶体管的阱与地电压相连，第一读取管的漏极、第二读取管的漏极及选择管的源极相连；控制晶体管的栅极、第一读取晶体管的栅极和第二读取晶体管的栅极互相连接形成浮栅。本发明的存储单元编程和擦除操利用FN隧穿效应，具有功耗低、存储密度高，面积小，擦写忍耐性及数据保持性强，以及读取速度快的特点。

公开(公告)号：CN115374491A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211010294.7

申请日：2022-08-23

Applicant: 安徽大学

Inventor： 柏娜 ,  马君武 ,  许耀华 ,  王翊 ,  吕纪明 ,  陈小杰

IPC: G06F21/78 ,  G11C11/413 ,  G11C11/416

Abstract: 本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元，该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路，具有一对互补存储节点；行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点；读操作电路，与所述写操作电路连接；其中，所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后，模仿所述写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性。本申请设置与写操作电路结构一致的行为模仿电路，在写操作电路写入数据后，利用行为模仿电路模仿写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性，提高了存储单元抗功耗攻击的能力。