公开(公告)号：CN115374491A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211010294.7

申请日：2022-08-23

Applicant: 安徽大学

Inventor： 柏娜 ,  马君武 ,  许耀华 ,  王翊 ,  吕纪明 ,  陈小杰

IPC: G06F21/78 ,  G11C11/413 ,  G11C11/416

Abstract: 本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元，该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路，具有一对互补存储节点；行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点；读操作电路，与所述写操作电路连接；其中，所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后，模仿所述写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性。本申请设置与写操作电路结构一致的行为模仿电路，在写操作电路写入数据后，利用行为模仿电路模仿写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性，提高了存储单元抗功耗攻击的能力。

公开(公告)号：CN115359822A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211023668.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 柏娜 ,  陈子涵 ,  许耀华 ,  王翊 ,  吕纪明 ,  周月亮

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  G11C8/14 ,  G11C7/24 ,  G11C7/18

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照存储单元，其由10个一类MOS晶体管、8个二类MOS晶体管和4个存储节点构成，10个一类MOS晶体管依次定义为P1～P10，8个二类MOS晶体管依次定义为N1～N8，4个存储节点依次为第一存储节点Q、第二存储节点QB、第一冗余节点S0及第二冗余节点S1。本发明的抗辐照存储单元的第一冗余节点S0和第二冗余节点S1均只由PMOS晶体管包围，在不同存储状态下，总有1个节点处于极性加固状态，可以有效避免发生数据翻转；同时节点数据的稳定保证了剩余节点可以在发生翻转后通过电路反馈恢复至初始状态，从而使得电路抗SEU的能力得到了提高。