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公开(公告)号：CN117174588A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310851833.8
申请日：2023-07-12
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种GaSb MOS器件及其制备方法，涉及电子技术领域。GaSb MOS器件的制备方法，包括如下步骤：(1)提供GaSb基片，对所述GaSb基片进行表面清洗；(2)提供(NH4)2S溶液，用所述(NH4)2S溶液对表面清洗后的所述GaSb基片进行表面处理；(3)在表面处理后的所述GaSb基片上沉积Yb2O3薄膜，构筑Yb2O3/GaSb叠层栅结构；(4)在所述的Yb2O3/GaSb叠层栅结构上制备Al电极，构筑Al/Yb2O3/GaSb MOS器件。制备的GaSb MOS器件的Yb2O3/GaSb的界面态密度值低，GaSb MOS器件的电学性能优异。
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