公开(公告)号：CN117995661A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410092077.X

申请日：2024-01-23

Applicant: 安徽大学 ,  合肥安芯睿创半导体有限公司

Inventor： 刘学 ,  田然 ,  李培刚 ,  储童 ,  季学强

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。

公开(公告)号：CN117995661B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410092077.X

申请日：2024-01-23

Applicant: 安徽大学 ,  合肥安芯睿创半导体有限公司

Inventor： 刘学 ,  田然 ,  李培刚 ,  储童 ,  季学强

IPC: H01L21/04 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。

公开(公告)号：CN119300485A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411274155.4

申请日：2024-09-11

Applicant: 安徽大学

Inventor： 刘学 ,  武创伟 ,  田然 ,  王智弘 ,  王斯睿

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/122 ,  H10F77/124 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 一种自驱动光电探测器及其制备方法，包括硅基底片，硅基底片包括底层硅和二氧化硅层，石墨烯层，覆盖在二氧化硅层表面用于收集从光吸收层传输过来的光生载流子并导出电流，隧穿层材料为六方氮化硼，覆盖在石墨烯层和二氧化硅层表面，光吸收层材料为二硫化钼，位于在隧穿层表面用于吸收光并生成光生载流子，金属电极，设有两组且分别设置在石墨烯层和光吸收层的表面，用于连接外部电路，通过构建石墨烯/六方氮化硼/二硫化钼异质结独特结构，充分发挥具有NBVN反位氮空位缺陷的六方氮化硼特性，使得本探测器在无外部偏压的状态下仅通过光照便可内部自行出现电流，实现无外部偏压的光电探测，且材料自身的高灵敏性特质实现了快速稳定地探测。

公开(公告)号：CN221903650U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202322883644.7

申请日：2023-10-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 晋晓峰 ,  濮蕊 ,  田然 ,  杨嘉磊 ,  张家明 ,  曹文停 ,  王永中

IPC: A61B5/08 ,  A61N5/10

Abstract: 本实用新型公开了一种肿瘤精准放射治疗用呼吸传感器组件，涉及到医疗器械技术领域，包括由电源、信息传送模块和呼吸传感器集成的集成模块，所述集成模块安装在硅胶外壳和硅胶基材围成的容纳腔内，还包括可更换的粘贴单元，所述粘贴单元用于将所述硅胶基材粘贴于人脸鼻腔出气孔下方。设置有可更换的粘贴单元，通过更换粘贴单元替代硅胶贴片以及硅胶外壳的整体更换，可降低使用成本。