公开(公告)号：CN117995661A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410092077.X

申请日：2024-01-23

Applicant: 安徽大学 ,  合肥安芯睿创半导体有限公司

Inventor： 刘学 ,  田然 ,  李培刚 ,  储童 ,  季学强

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。

公开(公告)号：CN117995661B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410092077.X

申请日：2024-01-23

Applicant: 安徽大学 ,  合肥安芯睿创半导体有限公司

Inventor： 刘学 ,  田然 ,  李培刚 ,  储童 ,  季学强

IPC: H01L21/04 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件，涉及半导体技术领域，本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜，构成叠层结构的栅氧化层，形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀且薄度可以精确控制，保证整个栅氧化层的厚度和薄度的精准能够满足需求，由于氧化铝和氧化铪具有较高的介电常数，二者构成的叠层结构可以提高栅氧层的整体介电常数，增加栅介质的电容效应，抑制隧穿漏电流，对于氧化铝薄膜和氧化铪薄膜进行退火处理，可以改善薄膜的结晶性和界面质量，将制备好的开关器件样品进行快速热退火处理，可以进一步优化栅氧层的性能，减小缺陷和界面电荷。

公开(公告)号：CN119300485A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411274155.4

申请日：2024-09-11

Applicant: 安徽大学

Inventor： 刘学 ,  武创伟 ,  田然 ,  王智弘 ,  王斯睿

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/122 ,  H10F77/124 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 一种自驱动光电探测器及其制备方法，包括硅基底片，硅基底片包括底层硅和二氧化硅层，石墨烯层，覆盖在二氧化硅层表面用于收集从光吸收层传输过来的光生载流子并导出电流，隧穿层材料为六方氮化硼，覆盖在石墨烯层和二氧化硅层表面，光吸收层材料为二硫化钼，位于在隧穿层表面用于吸收光并生成光生载流子，金属电极，设有两组且分别设置在石墨烯层和光吸收层的表面，用于连接外部电路，通过构建石墨烯/六方氮化硼/二硫化钼异质结独特结构，充分发挥具有NBVN反位氮空位缺陷的六方氮化硼特性，使得本探测器在无外部偏压的状态下仅通过光照便可内部自行出现电流，实现无外部偏压的光电探测，且材料自身的高灵敏性特质实现了快速稳定地探测。

公开(公告)号：CN120051198A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510231391.6

申请日：2025-02-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 高文帅 ,  王浩 ,  田明亮 ,  朱安康 ,  刘学

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  G01B7/30

Abstract: 本发明属于磁传感器技术领域，公开了基于巨大各向异性电导效应的角度传感器件及其制备方法，该角度传感器由衬底、铋化钯纳米片、霍尔条沟道结构、金膜金属电极和六方‑氮化硼组合而成；该角度传感器的制备方法包括S1、清洁硅/氧化硅衬底；S2、将铋化钯纳米片粘合于衬底表面；S3、在铋化钯纳米片上制造霍尔条沟道结构；S4、在霍尔条沟道结构上蒸镀金膜金属电极；S5、使用六方‑氮化硼对铋化钯纳米片、霍尔条沟道结构和金膜金属电极进行覆盖封装；本发明解决了现有角度传感器在低温强磁场下灵敏度低、稳定性差、精度不足、测量误差大，以及尺寸大不利于设备小型化与集成化的问题。

公开(公告)号：CN115730176A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211090748.6

申请日：2022-09-07

Applicant: 安徽大学

Inventor： 寻丽娜 ,  吕丁勇 ,  刘学 ,  张德祥 ,  张晶晶 ,  阎庆

IPC: G06F17/11 ,  G06F17/16 ,  G01N21/33

Abstract: 本发明涉及臭氧浓度反演，具体涉及一种紫外高光谱大气臭氧垂直柱浓度反演方法，基于朗伯—比尔定律确定拟合方程；构造线性拟合矩阵M，构造向量根据线性拟合矩阵M和向量将拟合方程转换为矩阵形式；通过最小二乘法求解臭氧的斜柱浓度值；计算空气质量因子AMF；利用臭氧的斜柱浓度值和空气质量因子AMF计算臭氧的垂直柱浓度值；本发明提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的大气臭氧垂直柱浓度反演结果准确性较低、计算复杂的缺陷。