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发明公开
一种改善互补型忆阻器存储窗口的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118900622A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410974879.3

申请日：2024-07-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 朱云来 , 张俊杰 , 周旭 , 申旭明 , 王璐娜 , 胡歆蕊 , 徐祖雨 , 吴祖恒 , 代月花

IPC: H10N70/00 , H10N70/20

Abstract: 本发明公开一种改善互补型忆阻器存储窗口的方法，属于半导体与集成电路技术领域；互补型忆阻器包括两层过渡金属氧化物介质层，位于上端的过渡金属氧化物介质层的氧空位缺陷少于下端过渡金属氧化物介质层的氧空位缺陷。这两层氧化物介质层的下端设置有下电极，上端设置有上电极。改善互补型忆阻器存储窗口的方法包括：下端过渡金属氧化物层的顶端嵌入金属纳米岛、缩小下端过渡金属氧化物层的厚度以及缩小上电极热导率中的一种或多种。

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