公开(公告)号：CN113130681A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110400291.3

申请日：2021-04-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 龙明生 ,  王瑞洁 ,  单磊 ,  李峰 ,  韩涛

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  G01J5/20

Abstract: 一种基于层状材料异质结的光电探测器，包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜，p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上，上述二维层状异质结置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域；透明顶栅绝缘层，所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方，透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA；所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方，包含石墨烯、ITO等透明材料。

公开(公告)号：CN113130681B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110400291.3

申请日：2021-04-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 龙明生 ,  王瑞洁 ,  单磊 ,  李峰 ,  韩涛

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  G01J5/20

Abstract: 一种基于层状材料异质结的光电探测器，包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜，p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上，上述二维层状异质结置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域；透明顶栅绝缘层，所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方，透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA；所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方，包含石墨烯、ITO等透明材料。