一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法

    公开(公告)号:CN118862823A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410958906.8

    申请日:2024-07-17

    申请人: 安徽大学

    IPC分类号: G06F30/398 G06T17/20

    摘要: 本发明涉及数据处理技术领域,具体公开了一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法,包括以下步骤:通过采用有限元仿真工具对FBAR实物进行三维建模,设计一款高品质因数FBAR谐振器;提取FBAR谐振器基本参数,采用MBVD模型拟合,得到MBVD等效电路模型;利用集成电路仿真工具candence,将交叉耦合式结构的振荡器与MBVD等效电路结合并优化,从而降低VCO的相位噪声和功率;采用了三维有限元软件COMSOL Multiphysics设计出一种高品质因数的FBAR谐振器,将所述高品质因数的FBAR谐振器与CMOS集成电路进行交叉融合,优化结构设计;该方法旨在降低相位噪声和功耗,同时解决低频锁定的压控振荡器问题。