公开(公告)号：CN102592661A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210052508.7

申请日：2012-03-02

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谭守标 ,  吴秀龙 ,  柏娜 ,  李正平 ,  孟坚 ,  陈军宁 ,  徐超 ,  高珊 ,  李瑞兴

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，包括两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电流补偿电路包括5个PMOS管和6个NMOS管，补偿电路在正常工作状态下通过检测主电路中两根位线上的电位变化率的变化情况，自动让主电路中放电较慢的一端位线信号放电更慢，让主电路中放电较快的一端位线信号放电更快，从而消除SRAM位线上较大漏电流对主电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。

公开(公告)号：CN102592661B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201210052508.7

申请日：2012-03-02

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谭守标 ,  吴秀龙 ,  柏娜 ,  李正平 ,  孟坚 ,  陈军宁 ,  徐超 ,  高珊 ,  李瑞兴

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，包括两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电流补偿电路包括5个PMOS管和6个NMOS管，补偿电路在正常工作状态下通过检测主电路中两根位线上的电位变化率的变化情况，自动让主电路中放电较慢的一端位线信号放电更慢，让主电路中放电较快的一端位线信号放电更快，从而消除SRAM位线上较大漏电流对主电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。

公开(公告)号：CN202549311U

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201220074935.0

申请日：2012-03-02

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谭守标 ,  吴秀龙 ,  柏娜 ,  李正平 ,  孟坚 ,  陈军宁 ,  徐超 ,  高珊 ,  李瑞兴

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，设有两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电流补偿电路包括5个PMOS管和6个NMOS管，补偿电路在正常工作状态下通过检测主电路中两根位线上的电位变化率的变化情况，自动让主电路中放电较慢的一端位线信号放电更慢，让主电路中放电较快的一端位线信号放电更快，从而消除SRAM位线上较大漏电流对主电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。