一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统

    公开(公告)号:CN102664041B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201210158560.0

    申请日:2012-05-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。

    一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统

    公开(公告)号:CN102664041A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210158560.0

    申请日:2012-05-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。

    一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路

    公开(公告)号:CN202662294U

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201220229413.3

    申请日:2012-05-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。

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