-
公开(公告)号:CN102664041B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201210158560.0
申请日:2012-05-22
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。
-
公开(公告)号:CN102664041A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201210158560.0
申请日:2012-05-22
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。
-
公开(公告)号:CN202662294U
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201220229413.3
申请日:2012-05-22
Applicant: 安徽大学
Abstract: 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制电路,包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块,其特征是:可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制单元,可编程读、写时序控制电路的输入为控制单元输出的读、写控制信号,可编程读、写时序控制电路的输出分别连接字线负载复制单元及读、写位线负载复制单元的输入,可编程读、写时序控制电路还输出Rref信号连接灵敏放大器时序控制电路的使能端,二级译码及字线驱动电路中字线WLL驱动复制单元的输出连接可编程读、写时序控制电路的时序端。
-
-