一种分子氧化还原电位的预测方法

    公开(公告)号:CN118824399A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202411083109.6

    申请日:2024-08-08

    Applicant: 安徽大学

    Inventor: 于海珠 司展

    Abstract: 本发明公开了一种分子氧化还原电位的预测方法,包括:1、确定分子氧化还原电位的训练集,2、对于确定训练集中的分子进行分子结构表征,3、将表征后的数据进行结构特征强化,利于训练标签构建氧化还原电位的融合损失,进行氧化还原电位预测网络的训练,4、对未知电位分子预测后的氧化还原电位结果进行线性校准,减小氧化还原电位预测网络带来的系统误差。本发明能准确的构建分子结构与氧化还原电位之间的结构‑性质关系,从而能对氧化还原电位进行准确性和普适性的预测,同时本发明可以降低分子氧化电位的获取成本,减少实验与计算资源。

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