公开(公告)号：CN104987101B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201510446745.5

申请日：2015-07-23

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 蔡天蓉 ,  尹山 ,  何宏玉 ,  洪火锋

IPC: C04B37/02

Abstract: 本发明提供一种应用于相控阵雷达零部件技术领域的提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法，所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内，本发明所述的工艺方法，能够有效提高温共陶瓷基板的平整度，提高了组件壳体与LTCC基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。

公开(公告)号：CN104987101A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510446745.5

申请日：2015-07-23

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 蔡天蓉 ,  尹山 ,  何宏玉 ,  洪火锋

IPC: C04B37/02

Abstract: 本发明提供一种应用于相控阵雷达零部件技术领域的提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法，所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内，本发明所述的工艺方法，能够有效提高温共陶瓷基板的平整度，提高了组件壳体与LTCC基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。