一种基于水伏效应的自供电栅有机场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN120051094A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510150322.2

    申请日:2025-02-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于水伏效应的自供电栅有机场效应晶体管及其制备方法,其特征在于,从下至上依次包括:水伏栅极、绝缘层、有机半导体层、设置于所述有机半导体层上的源极和漏极。其中水伏栅极自下而上依次包括:柔性衬底、底电极、复合薄膜、顶电极;水伏栅极复合薄膜包括PVA/LiCl聚合物薄膜、多层GO薄膜;顶电极在PVA/LiCl薄膜上。水伏栅极的底电极通过导线连接源极,实现在栅极和源极之间产生电压差,在绝缘层和半导体层界面处感应出载流子,其中可根据实际情况在现有器件结构上将多个水伏栅极垂直叠加串联增加输出电压;将所述源极和漏极与外部电源连接并施加电压,使晶体管正常工作。

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