公开(公告)号：CN112331748A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011363610.X

申请日：2020-11-27

申请人： 安徽中医药大学

发明人： 刘园旭

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 本发明提供一种发光二极管的外延结构的制备方法，包括，提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型AlGaN导电层，在所述N型AlGaN导电层上生长SiNx掩膜层并进行原位刻蚀在生长不致密的SiNx处会被刻蚀暴露出N型AlGaN层，继续外延生长N型AlGaN修复层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层，其中x为0.37～0.38，y为0.55～0.6；AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN空穴扩展层及P型氮化镓导电层。采用本发明的制备方法制备的LED外延结构的发光效率得到提高。

公开(公告)号：CN115090326A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210604657.3

申请日：2022-05-30

申请人： 安徽中医药大学

发明人： 刘园旭 ,  张瑞 ,  李洋洋 ,  邓翔 ,  盛啸东 ,  王楚 ,  王烨烽 ,  田畅

IPC分类号： B01J31/22 ,  B01J37/10 ,  B01J35/10 ,  C08G83/00 ,  C02F1/30 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38

摘要： 本发明涉及一种高活性立方体Ti‑MOF光催化剂、制备方法及应用，该方法包括以下步骤：将钛盐、有机配体、有机溶剂和无水甲醇混合，得到混合溶液，所述钛盐和有机配体的摩尔比、有机溶剂和无水甲醇的体积比分别为1:1‑6、10‑1:1；所述有机配体为对苯二甲酸或2‑氨基对苯二甲酸；将上述混合溶液超声分散得到反应液；将上述反应液进行水热合成反应得到Ti‑MOF前驱体；将上述Ti‑MOF前驱体烘干，得到立方体Ti‑MOF光催化剂。本发明通过水热合成法获得高比表面积立方体形貌Ti‑MOF催化剂，立方体Ti‑MOF催化剂具有较好的盐酸四环素降解性能，获得了较高的反应速率常数k＝0.00106‑0.00660min‑1，且具有较好的稳定性。

公开(公告)号：CN111525003A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010386250.9

申请日：2020-05-09

申请人： 安徽中医药大学

发明人： 刘园旭

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种在m面氮化镓基板上生长蓝色发光二极管的外延方法，涉及半导体外延层生长技术领域，包括在m面GaN基板顶部利用金属有机化学气相沉积方法生长一层非掺杂氮化镓同质外延薄膜浸润层，然后利用金属有机化学气相沉积法自下而上的依次生成N型导电GaN外延层、GaN应力调控层、GaN/InGaN超晶格电子储存层、InGaN/GaN多量子阱发光外延层和复合P型GaN层；本发明实现了m面同质外延获得平整的表面，而且实现了InGaN层In的有效并入实现蓝光量子阱激发。

公开(公告)号：CN111525003B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010386250.9

申请日：2020-05-09

申请人： 安徽中医药大学

发明人： 刘园旭

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种在m面氮化镓基板上生长蓝色发光二极管的外延方法，涉及半导体外延层生长技术领域，包括在m面GaN基板顶部利用金属有机化学气相沉积方法生长一层非掺杂氮化镓同质外延薄膜浸润层，然后利用金属有机化学气相沉积法自下而上的依次生成N型导电GaN外延层、GaN应力调控层、GaN/InGaN超晶格电子储存层、InGaN/GaN多量子阱发光外延层和复合P型GaN层；本发明实现了m面同质外延获得平整的表面，而且实现了InGaN层In的有效并入实现蓝光量子阱激发。

公开(公告)号：CN112397618A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011357979.X

申请日：2020-11-27

申请人： 安徽中医药大学

发明人： 刘园旭

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 本发明提供一种发光二极管的外延结构的制备方法，包括，提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型AlGaN导电层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层，其中x为0.37～0.38，y为0.55～0.6；将生长完所述AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层的外延片进行化学腐蚀，接着在化学腐蚀后的外延片上继续二次外延生长AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN空穴扩展层及P型氮化镓导电层。采用本发明的制备方法制备的LED外延结构的发光效率得到了提高。

公开(公告)号：CN118162177A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410154477.9

申请日：2024-02-02

申请人： 安徽中医药大学

发明人： 刘园旭 ,  陈文静 ,  宋湘雨 ,  孙鑫豪

IPC分类号： B01J27/18 ,  C02F1/30 ,  B01J35/39 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38

摘要： 本发明涉及一种二氧化钛负载羟基磷灰石复合光催化材料及制备方法，属于光催化技术领域。所述光催化材料包括二氧化钛和二氧化钛负载的羟基磷灰石，其中，所述负载的羟基磷灰石占复合光催化材料的质量为10～16％，所述二氧化钛为锐钛矿TiO2‑{001}或锐钛矿TiO2‑{101}。采用两种晶面({001}和{101})二氧化钛负载羟基磷灰石复合光催化材料，并给出了两种晶面二氧化钛负载羟基磷灰石复合光催化材料的制备方法，其中，所述二氧化钛负载羟基磷灰石的复合光催化材料，具有高效率降解盐酸四环素的性能和较好的稳定性。