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公开(公告)号：CN110408993B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910693206.X
申请日：2019-07-17
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种用于X射线探测的Cs2AgBiBr6双钙钛矿晶体的制备方法，其包括以下步骤：将溴化铯、乙酸钠、溴化铋、溴化银四种原料按照物质的量之比为(1.8～0.6)∶(0.2～1.4)∶1∶1混合，得到混合物；向混合物中加入氢溴酸溶液得到生长原料；再将生长原料置于一个玻璃瓶中，并进行良好密封；将装有生长原料的玻璃瓶置于可控温容器中，在120℃～130℃温度下对生长原料进行加热，直至生成透明的亮黄色溶液；在生成透明的亮黄色溶液后，经过三次缓慢降温将120℃～130℃降温至常温，得到红色透明的Cs2AgBiBr6单晶；其中，在70℃～85℃温度下开始析晶；优点是解决了多核析晶，晶体尺寸较小的问题，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN112663132A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011265567.3
申请日：2020-11-13
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种卤化亚铜晶体的制备方法，特点是采用坩埚下降法生长，具体步骤如下：1）将卤化亚铜原料进行纯化预处理；2）将装有研磨均匀的卤化亚铜原料的石英坩埚进行抽真空操作转移至管式炉中后，将石英坩埚加热到150℃，保温50min后得到无水卤化亚铜，再加热到高于石英坩埚内物料熔点50℃‑100℃后，保温24h后完成预烧结；3）将密封的石英坩埚装入引下管，将引下管放入坩埚下降炉中，加热使石英坩埚内物料熔融，以均匀速度使引下管在坩埚下降炉中下降直至石英坩埚内物料完全凝固成固体，停止下降得到卤化亚铜晶体，优点是具有尺寸大、纯度高，质量好，透明度高。
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公开(公告)号：CN110004485A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910343553.X
申请日：2019-04-26
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种稀土元素铈掺杂的闪烁晶体及其制备方法，特点是其化学结构式为：MY2X7：Ce，其中M=K，Cs，Rb；X=Cl，Br，制备方法包括以下步骤：（1）将低纯度原料MX、CeX3和YX3原料分别装入大尺寸石英坩埚中，抽真空并加热到250℃保温2小时；密封石英坩埚装入坩埚下降炉中，升温充分熔融下降，得到高纯MX、CeX3和YX3原料；再按摩尔比MX：YX3：CeX3=1：2：0.001混匀抽真空加热烧结得到无水MY2X7：Ce多晶料；（2）将含有无水MY2X7：Ce多晶料的石英坩埚放入坩埚下降炉，升温加热再下降直至完全凝固，再降至室温即得到闪烁晶体，优点是颗粒尺寸大且吸水潮解性低。
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公开(公告)号：CN111454049B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010283097.7
申请日：2020-04-01
申请人： 宁波大学
IPC分类号： H01L31/0264 , C04B35/01 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热，逐滴加入六亚甲基四胺溶液，滴定结束后陈化得到白色沉淀，沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧，得到氧化铟超细粉末；随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工，得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是：工艺简单，成本较低；以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂，并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+，经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高，利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN108193274B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711223821.1
申请日：2017-11-29
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种复式钨酸盐闪烁晶体及其制备方法，特点是该闪烁晶体化学结构式为CdGdxLa2‑x（WO4）4，其中x=0.2、0.4、0.6、0.8或者1.0，其制备方法具体步骤如下：1）将原料CdO、Gd2O3、La2O3和WO3原料置于马弗炉中去除水分，然后按照其化学式中的摩尔比进行称量，随后将粉末进行充分的研磨和压片，再转移到陶瓷坩埚里，在马弗炉中烧结，将烧结物重新研磨和压片再次烧结得到多晶料锭；2）采用单晶提拉炉，中频感应加热方式加热，N2为保护气氛，采用铂金丝进行自发成核；生长阶段控制拉速和晶体，生长结束后得到复式钨酸盐闪烁晶体，优点是高密度、快衰减的易于生长且具有良好发光性能。
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公开(公告)号：CN109321978A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811186469.3
申请日：2018-10-12
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法，其包括以下步骤：制备晶体生长原料；利用坩埚下降法使晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，生长出深蓝色透明的钼酸钇钠单晶；将深蓝色透明的钼酸钇钠单晶在温度为850℃～900℃的氧气气氛下保温24～48小时进行退火处理，退火过程中升温速率与降温速率均为40～60℃/小时，退火后得到无色透明的钼酸钇钠晶体；优点是由于晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，因此生长得到的透明的钼酸钇钠单晶呈深蓝色；而后在氧气气氛下退火处理可有效消除透明的钼酸钇钠单晶的着色现象，并提高透明的钼酸钇钠单晶的光输出，可用于探测无中微子双贝塔衰变。
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公开(公告)号：CN107200345A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710163978.3
申请日：2017-03-20
申请人： 宁波大学
IPC分类号： C01G3/04
CPC分类号： C01G3/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/80
摘要： 本发明公开了一种γ‑碘化亚铜的制备方法，特点是制备方法步骤如下：将碘单质溶于四氟硼酸盐和六氟磷酸盐离子液体中，封闭状态下控制加热温度80‑150℃，碘单质完全溶解，得到碘溶液；然后将打磨干净的铜片放入碘离子的溶液中，继续控制一定温度加热直到溶液的颜色近无色为止，冷却至室温，取出溶液底部沉淀，用去离子水、乙醇多次洗涤，真空干燥得到γ‑碘化亚铜，优点是碘的利用高、成本低，操作工艺简单、环保无污染，且产率和纯度高。
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公开(公告)号：CN111454049A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010283097.7
申请日：2020-04-01
申请人： 宁波大学
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C6-NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热，逐滴加入六亚甲基四胺溶液，滴定结束后陈化得到白色沉淀，沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧，得到氧化铟超细粉末；随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工，得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是：工艺简单，成本较低；以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂，并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C6-NH3+，经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高，利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高，具有较高的应用价值。
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