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公开(公告)号：CN111130536B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201911249443.3
申请日：2019-12-09
申请人： 宁波大学
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 本发明公开了一种同时具有老化检测和PUF功能的电路，包括控制驱动电路和128个功能单元电路，每个功能单元电路分别包括第一VCO阵列、第二VCO阵列、第一整形电路、第二整形电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、功能控制模块、第一计数器、第二计数器、仲裁器、相位比较器和检测窗口；优点是将老化检测功能和PUF功能进行集成，既能实现老化检测功能也能实现PUF电路功能，应用于芯片时可以提高芯片的集成度，降低芯片面积。
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公开(公告)号：CN114220465A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111239678.1
申请日：2021-10-25
申请人： 宁波大学
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 本发明公开了一种基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元，包括6T SRAM和非易失存储模块，非易失存储模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容，为4T2C结构，非易失存储模块中，采用第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容这一对铪基铁电电容作为非易失存储器件，形成互补双边结构，断电前将6T SRAM中的数据保存在第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容中，然后完全关断本发明电路，节省了待机功耗，第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容形成的互补双边结构可以提高数据恢复率和抵抗工艺变化的可靠性；优点是具有较高的数据恢复率和良好的抵抗工艺变化的可靠性。
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公开(公告)号：CN110415749B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910561075.X
申请日：2019-06-26
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法，该方法采用一个忆阻器，根据忆阻器的阻值设定忆阻器的三个阻态，定义忆阻器的初始化的逻辑参数、忆阻器的输入和输出以及写操作后忆阻器的输出，并采用半导体参数分析测试仪中分别对忆阻器施加正向扫描电压和负向扫描电压获取忆阻器阻态转换的两个阈值电压，基于该阈值电压确定忆阻器的输入的脉宽100微秒的脉冲电压的幅值大小以及恒定直流电压，然后根据要实现的三值单变量函数初始化忆阻器到相应阻态后，对忆阻器进行一步或者两步写操作，就能实现该三值单变量函数了；优点是简化操作方法，大幅减少器件数量，减少电路面积，降低电路功耗，提高电路存储容量。
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公开(公告)号：CN110415749A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910561075.X
申请日：2019-06-26
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法，该方法采用一个忆阻器，根据忆阻器的阻值设定忆阻器的三个阻态，定义忆阻器的初始化的逻辑参数、忆阻器的输入和输出以及写操作后忆阻器的输出，并采用半导体参数分析测试仪中分别对忆阻器施加正向扫描电压和负向扫描电压获取忆阻器阻态转换的两个阈值电压，基于该阈值电压确定忆阻器的输入的脉宽100微秒的脉冲电压的幅值大小以及恒定直流电压，然后根据要实现的三值单变量函数初始化忆阻器到相应阻态后，对忆阻器进行一步或者两部写操作，就能实现该三值单变量函数了；优点是简化操作方法，大幅减少器件数量，减少电路面积，降低电路功耗，提高电路存储容量。
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公开(公告)号：CN111045643B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201911134935.8
申请日：2019-11-19
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种利用阈值电压特性的乘法单元电路及乘法器，乘法单元电路过两个异或门、四个与非门和四个反相器构成，乘法器由多个乘法单元电路构成，异或门和与非门作为乘法单元电路的两个基本单元，两者采用相同的电路结构来实现，通过配置该相同电路结构中MOS管的阈值电压特性时该电路结构分别能实现异或逻辑功能和与非逻辑功能，乘法单元电路在一个周期内实现一次求值运算，且一个周期内分为三个阶段，分别为预充阶段、求值运算和放电阶段，异或门和与非门的差分下拉网络均采用单端结构；优点是面积和功耗开销较小，能够同时防御逆向工程和DPA攻击，安全性较高。
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公开(公告)号：CN111130536A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911249443.3
申请日：2019-12-09
申请人： 宁波大学
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 本发明公开了一种同时具有老化检测和PUF功能的电路，包括控制驱动电路和128个功能单元电路，每个功能单元电路分别包括第一VCO阵列、第二VCO阵列、第一整形电路、第二整形电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、功能控制模块、第一计数器、第二计数器、仲裁器、相位比较器和检测窗口；优点是将老化检测功能和PUF功能进行集成，既能实现老化检测功能也能实现PUF电路功能，应用于芯片时可以提高芯片的集成度，降低芯片面积。
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公开(公告)号：CN111045643A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911134935.8
申请日：2019-11-19
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开了一种利用阈值电压特性的乘法单元电路及乘法器，乘法单元电路过两个异或门、四个与非门和四个反相器构成，乘法器由多个乘法单元电路构成，异或门和与非门作为乘法单元电路的两个基本单元，两者采用相同的电路结构来实现，通过配置该相同电路结构中MOS管的阈值电压特性时该电路结构分别能实现异或逻辑功能和与非逻辑功能，乘法单元电路在一个周期内实现一次求值运算，且一个周期内分为三个阶段，分别为预充阶段、求值运算和放电阶段，异或门和与非门的差分下拉网络均采用单端结构；优点是面积和功耗开销较小，能够同时防御逆向工程和DPA攻击，安全性较高。
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