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公开(公告)号：CN113024974A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110153558.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜及其制备方法，特点是该杂化结构为一维TiO2纳米线外面包裹Fe3O4微粒，再用EDA修饰，一维TiO2纳米线杂化结构在复合薄膜中的掺杂量为1~20 vol%，其制备方法包括合成TiO2@Fe3O4纳米线的步骤；TiO2@Fe3O4纳米线的乙二胺有机修饰的步骤；将TiO2@Fe3O4@EDA纳米线、二甲基甲酰胺和聚偏氟乙烯粉末混合，搅拌反应后抽真空，滴在水平导电玻璃上并铺平后迅速抽真空，加热烘干后继续升温至205℃保温10分钟后，放入冰水中淬火清洗后烘干的步骤；优点是低填充量、高储能密度、高击穿场强以及高充放电效率。
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公开(公告)号：CN119517621A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411429383.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 宁波大学 , 宁波华丰包装有限公司
Abstract: 本发明公开了一种叠层结构的纳米复合电介质薄膜及其制备方法，特点是由承压层和极化层上下交替相叠形成2～8层总厚度为10～14微米的纳米复合电介质薄膜，其制备方法包括在Ni(OH)2纳米片表面包覆有机物PDI得到核壳结构的Ni(OH)2@PDI纳米片的步骤；将P(VDF‑HFP)和Ni(OH)2@PDI纳米片体积比为50％的承压层溶液和P(VDF‑HFP)和Ni(OH)2纳米片体积比为50％的极化层溶液静电纺丝，并控制承压层与极化层的厚度比为6～3：2～5得到初步纳米复合电介质薄膜的步骤，最后热压成膜得到叠层结构的纳米复合电介质薄膜的步骤，优点是实现击穿场强和介电常数的同步改善，并提高储能密度。
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公开(公告)号：CN120082352A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510113961.1
申请日：2025-01-24
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂碳量子点、制备方法、应用、孔雀石绿检测装置及孔雀石绿检测方法，其发射波长为561nm，处于黄光波段，因此能够与待检样品的自发荧光进行很好地区分，方便以肉眼检测孔雀石绿的残留。
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公开(公告)号：CN119517620A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411429380.0
申请日：2024-10-14
Applicant: 宁波大学 , 宁波华丰包装有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层梯度结构的纳米复合电介质薄膜及其制备方法，包括对称设置的外层承压层和位于两层承压层中间的极化层，特点是承压层与极化层之间设置有缓冲层，缓冲层为P(VDF‑HFP)和PMMA按体积比60％的比例混合而成；承压层、极化层和缓冲层中均填充有Ni(OH)2，其制备方法包括以下步骤：1)采用水热法制备Ni(OH)2纳米片；2)将Ni(OH)2纳米片加入到承压层、缓冲层和极化层中，按多层梯度结构进行静电纺丝；3)在预设的条件下热压成膜得到多层梯度结构的纳米复合电介质薄膜；优点是能够显著缓解多层结构不同功能层之间介电差异，同时改善击穿场强和介电常数，并提高储能密度。
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公开(公告)号：CN113429600B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202110625568.2
申请日：2021-06-04
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种银‑二氧化钛填料掺杂聚偏氟乙烯的电介质复合薄膜及其制备方法，特点是该复合薄膜由银‑二氧化钛填料填充于聚偏氟乙烯基体中复合而成，银‑二氧化钛填料为核壳结构，其中核层为呈树皮状的表面包覆有片状二氧化钛的一维二氧化钛纳米线，壳层为修饰在片状二氧化钛表面的银纳米颗粒，其制备方法包括将制备得到的银‑二氧化钛填料分散在有机溶剂N‑N二甲基甲酰胺中，然后超声搅拌后，加入聚偏氟乙烯搅拌，采用溶液铸造法制备得到银‑二氧化钛填料体积分数为0.5‑2%的银‑二氧化钛填料掺杂聚偏氟乙烯的电介质复合薄膜的步骤；优点是在较低电场强度下，具有极高的极化、较高的充放电效率和极高的能量密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113527826B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110626141.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物的复合薄膜及其制备方法，特点是该复合薄膜由片状核壳结构Ni(OH)2@TiO2填充于聚偏氟乙烯共聚物复合而成，片状核壳结构为片状核层氢氧化镍外部包裹一层壳层二氧化钛，片状核壳结构在聚偏氟乙烯共聚物中的掺杂体积百分比为1‑4%，其制备方法包括以下步骤：首先采用水热法制备Ni(OH)2纳米片，然后对其进行二氧化钛包裹后，再与聚偏氟乙烯共聚物复合，应用刮刀涂布法制备得到片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物复合薄膜，优点是能够显著提高介电、击穿和储能性能，并维持了聚合物自身优异的电绝缘和机械性能。
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公开(公告)号：CN111876731B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010532613.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该相变薄膜材料为钙、锑、碲三种元素组成的混合物，其化学结构式为Cax(Sb2Te3)100‑x，其中0
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公开(公告)号：CN113024974B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110153558.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜及其制备方法，特点是该杂化结构为一维TiO2纳米线外面包裹Fe3O4微粒，再用EDA修饰，一维TiO2纳米线杂化结构在复合薄膜中的掺杂量为1~20 vol%，其制备方法包括合成TiO2@Fe3O4纳米线的步骤；TiO2@Fe3O4纳米线的乙二胺有机修饰的步骤；将TiO2@Fe3O4@EDA纳米线、二甲基甲酰胺和聚偏氟乙烯粉末混合，搅拌反应后抽真空，滴在水平导电玻璃上并铺平后迅速抽真空，加热烘干后继续升温至205℃保温10分钟后，放入冰水中淬火清洗后烘干的步骤；优点是低填充量、高储能密度、高击穿场强以及高充放电效率。
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公开(公告)号：CN113527826A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110626141.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物的复合薄膜及其制备方法，特点是该复合薄膜由片状核壳结构Ni(OH)2@TiO2填充于聚偏氟乙烯共聚物复合而成，片状核壳结构为片状核层氢氧化镍外部包裹一层壳层二氧化钛，片状核壳结构在聚偏氟乙烯共聚物中的掺杂体积百分比为1‑4%，其制备方法包括以下步骤：首先采用水热法制备Ni(OH)2纳米片，然后对其进行二氧化钛包裹后，再与聚偏氟乙烯共聚物复合，应用刮刀涂布法制备得到片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物复合薄膜，优点是能够显著提高介电、击穿和储能性能，并维持了聚合物自身优异的电绝缘和机械性能。
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公开(公告)号：CN111876731A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010532613.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该相变薄膜材料为钙、锑、碲三种元素组成的混合物，其化学结构式为Cax(Sb2Te3)100-x，其中0
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