公开(公告)号：CN102400216A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110401587.3

申请日：2011-12-07

Applicant: 宁夏东方钽业股份有限公司

Inventor： 颉维平 ,  陈林 ,  李明阳 ,  高延洲 ,  张保澄 ,  白掌军 ,  聂全新

IPC: C30B29/02 ,  C22B34/24 ,  C22F1/18 ,  H05H7/20

Abstract: 一种射频超导腔用单晶粒铌材制造方法，是以高熔点金属铌为原料精炼提纯，制备出晶粒尺寸Φ100mm以上，残余电阻比率RRR值300以上的铌锭，然后切出单个晶粒，采用碾压的方式轧制，再经热处理制备成单晶铌板或片；精炼提纯是采用真空电子束对高熔点金属铌进行多次熔炼提纯，生产出Φ250mm以上的铸锭，其最大晶粒直径为100－140mm，且铸锭的残余电阻比率RRR值在300以上。

公开(公告)号：CN102400216B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201110401587.3

申请日：2011-12-07

Applicant: 宁夏东方钽业股份有限公司

Inventor： 颉维平 ,  陈林 ,  李明阳 ,  高延洲 ,  张保澄 ,  白掌军 ,  聂全新

IPC: C30B29/02 ,  C22B34/24 ,  C22F1/18 ,  H05H7/20

Abstract: 一种射频超导腔用单晶粒铌材制造方法，是以高熔点金属铌为原料精炼提纯，制备出晶粒尺寸Φ100mm以上，残余电阻比率RRR值300以上的铌锭，然后切出单个晶粒，采用碾压的方式轧制，再经热处理制备成单晶铌板或片；精炼提纯是采用真空电子束对高熔点金属铌进行多次熔炼提纯，生产出Φ250mm以上的铸锭，其最大晶粒直径为100－140mm，且铸锭的残余电阻比率RRR值在300以上。