公开(公告)号：CN1396493A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02105093.7

申请日：2002-02-20

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李承燮 ,  李成根 ,  李光哲

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0005 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种应用X射线制造微型构造的方法，包括以下步骤：选择感光材料的一个部位暴露于高能光源中，该选择暴光步骤通过一个用于限定微型构造的图形的光掩模来完成，以及进行仅使感光材料暴光部分的上部熔化和变形的一个热处理步骤，当感光材料暴光部分的上部被暴露于X射线中时，它受到大约1kJ/cm3－20kJ/cm3的能级的作用。

公开(公告)号：CN1291274C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN02105093.7

申请日：2002-02-20

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李承燮 ,  李成根 ,  李光哲

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0005 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种应用X射线制造微型构造的方法，包括以下步骤：选择感光材料的一个部位暴露于高能光源中，该选择暴光步骤通过一个用于限定微型构造的图形的光掩模来完成，以及进行仅使感光材料暴光部分的上部熔化和变形的一个热处理步骤，当感光材料暴光部分的上部被暴露于X射线中时，它受到大约1kJ/cm3-20kJ/cm3的能级的作用。