公开(公告)号：CN119013858A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380032790.9

申请日：2023-03-09

Applicant: 学校法人名城大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 竹内哲也 ,  小林宪汰 ,  柴田夏奈 ,  岩谷素显 ,  上山智 ,  仓本大

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183

Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件以及品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法。氮化物半导体发光元件(1)具有：n‑AlInN层(12)，成分中含有Al以及In；GaN帽层(13)，层叠于n‑AlInN层(12)的表面，成分中含有Ga；以及n‑AlGaN成分渐变层(14)，层叠于GaN帽层(13)的表面，成分中含有Al以及Ga；在GaN帽层(13)的表面层叠的n‑AlGaN成分渐变层(14)的界面处的AlN的摩尔分数为0.36以上且0.44以下。