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公开(公告)号：CN116536749A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310578579.9
申请日：2023-05-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种二维超薄有机单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：超纯水和甘油按比例混合后倒入结晶皿中形成水油混合液，对水油混合液作超声处理；将有机小分子溶于有机溶剂中制备有机前驱液，并滴加至水油混合液上表面，铺展成有机液膜；将结晶皿在20‑30℃环境中静置3‑10小时，有机液膜结晶形成二维超薄有机单晶薄膜；将修饰有十八烷基三氯硅烷的基底覆盖在二维超薄有机单晶薄膜上，并从水油混合液表面取出，用超纯水冲洗干净，在基底上得到二维超薄有机单晶薄膜。所得到的二维超薄有机单晶薄膜厚度薄，具有理想的表面平整度以及结晶度，可广泛应用于光电器件、传感器、柔性电子等领域。
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公开(公告)号：CN116536748A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310578578.4
申请日：2023-05-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种大面积超薄有机小分子单晶薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在玻璃容器中倒入甘油，超声去除气泡；有机小分子溶于有机溶剂并滴加表面活性剂制备成有机前驱液，滴加至甘油上铺展成有机液膜；玻璃容器置于氮气或真空氛围中，在15‑40℃环境中静置10‑24小时，有机液膜结晶形成大面积超薄有机小分子单晶薄膜；将基底覆盖在大面积超薄有机小分子单晶薄膜上并从甘油表面快速取出；在真空条件下进行退火处理。本发明通过溶液法制备大面积超薄有机小分子单晶薄膜，工艺简单，成本低，采用本发明提供的制备方法得到的大面积超薄有机小分子单晶薄膜厚度薄，具有理想的表面平整度以及晶格结构，特别适用于光电、催化、传感等领域。
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公开(公告)号：CN116497451A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310543709.5
申请日：2023-05-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜及其制备方法，属于有机半导体材料制备领域，方法步骤包括，往结晶皿中加入甘油，将有机无机杂化钙钛矿前驱液滴加在甘油上铺展成液膜，甘油表面张力大，可以在甘油表面得到大面积的液膜，干燥结晶皿，甘油具有较高的沸点，因此可以不蒸干甘油地干燥结晶皿上的液膜，便于后续完整地将初结晶膜转移到基底上，干燥后获得高质量的初结晶膜；用表面修饰有OTS的基底覆盖在初结晶膜上将初结晶膜从甘油上表里翻转地转移到基底上，在保护气氛下对初结晶膜作退火处理。得到的超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜，厚度薄，具有理想的表面平整度以及晶格结构，有望在光电、磁性、电催化等领域实现性能的突破。
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公开(公告)号：CN116496523A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310578581.6
申请日：2023-05-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种高结晶度超薄聚合物薄膜及其制备方法，所述高结晶度超薄聚合物薄膜的制备方法包括以下步骤：在玻璃结晶皿中倒入甘油，超声去除气泡；将聚合物材料溶于有机溶剂中制备聚合物前驱液，并滴加至甘油上表面，铺展成膜；将玻璃结晶皿在20‑30℃环境中静置3‑10小时；将基底覆盖在聚合物薄膜上，并从甘油表面取出，最终在目标基底上获得高结晶度超薄聚合物薄膜。本发明所提供的高结晶度超薄聚合物薄膜制备方法，工艺简单，成本低，采用本发明提供的制备方法得到的超薄聚合物薄膜，厚度薄，具有理想的表面平整度以及晶格结构，特别适用于光电器件、传感器、柔性电子等领域。
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