微处理器装置以及选择基底偏压的方法

    公开(公告)号:CN102647175A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210135024.9

    申请日:2009-09-25

    Abstract: 一种微处理器装置、集成电路以及选择基底偏压的方法,该微处理器装置包括:第一电源供应节点、功能区块、第一基底偏压导线、第一充电节点、第一选择电路及基底偏压电路。第一电源供应节点提供第一核心电压。功能区块有多个电力模式,包括多个半导体装置,均具有基底接点及第一基底偏压导线设置于功能区块并耦接至少一半导体装置的基底接点。第一选择电路于低电力模式时耦接第一基底偏压导线至第一充电节点以及于全电力模式时钳制第一基底偏压导线至第一电源供应节点。基底偏压电路于低电力模式时将第一充电节点充电至相对于第一核心电压的第一偏移电压的第一基底偏压。半导体装置提供钳制或耦接其他基底偏压导线。本发明可降低次临界漏电流。

    微处理器装置以及选择基底偏压的方法

    公开(公告)号:CN102647175B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201210135024.9

    申请日:2009-09-25

    Abstract: 一种微处理器装置、集成电路以及选择基底偏压的方法,该微处理器装置包括:第一电源供应节点、功能区块、第一基底偏压导线、第一充电节点、第一选择电路及基底偏压电路。第一电源供应节点提供第一核心电压。功能区块有多个电力模式,包括多个半导体装置,均具有基底接点及第一基底偏压导线设置于功能区块并耦接至少一半导体装置的基底接点。第一选择电路于低电力模式时耦接第一基底偏压导线至第一充电节点以及于全电力模式时钳制第一基底偏压导线至第一电源供应节点。基底偏压电路于低电力模式时将第一充电节点充电至相对于第一核心电压的第一偏移电压的第一基底偏压。半导体装置提供钳制或耦接其他基底偏压导线。本发明可降低次临界漏电流。

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