一种超低高温功率损耗MnZn铁氧体材料制备方法

    公开(公告)号:CN109836146A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201811552371.5

    申请日:2018-12-19

    IPC分类号: C04B35/26 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种具有超低高温功率损耗MnZn铁氧体及其制备方法。以Fe2O3、MnO和ZnO为主要成分及添加剂辅助成分组成,主成分摩尔百分比:Fe2O3为52.9~53.4mol%,ZnO为9.0~9.8mol%,MnO为余量;按占主成分总重量计,其添加剂辅助成分各组分含量为:CaCO3为0.03~0.05%,Nb2O5为0.02~0.03%,Co2O3为0.3~0.4%,ZrO2为0.01~0.03%,KHCO3为0.0050~0.020%。预烧料经二次研磨与颗粒旋流分选,以及通过造粒、压力成型与气氛/温度控制条件下的烧结等过程,制备得到具有超低高温功率损耗MnZn铁氧体。其微结构致密、晶粒均匀,100~160℃的高温范围内具有较低的功率损耗,同时具备较高的饱和磁通密度和较高的磁导率。

    一种宽温低损耗高Bs锰锌铁氧体材料的制造方法

    公开(公告)号:CN113998999A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202210000433.1

    申请日:2022-01-04

    摘要: 本发明涉及锰锌铁氧体材料领域,公开了一种宽温低损耗高Bs锰锌铁氧体材料的制造方法,利用该方法制造的材料包括主成分和辅助成分,主成分为:Fe2O3、ZnO、Mn3O4,辅助成分包括:Co2O3、CaCO3、Nb2O5、ZrO2、Li2CO3、CCTO。本发明采用两次预烧的方式,将一次预烧后的预烧料进行破碎,消除粉料颗粒内外层预烧不充分或颗粒团聚造成的预烧料磁力及活性差异大的问题,并且在一次预烧后砂磨时加入CaCO3,在二次预烧后球磨时加入其余辅助成分,使得最终制备的锰锌铁氧体材料晶粒大小分布均匀、密度高,且在25℃‑140℃温度范围内具有低功率损耗、高磁导率、高Bs的特性。

    一种低温烧结柔性磁片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113716950B

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111279412.X

    申请日:2021-11-01

    IPC分类号: C04B35/26 H01F1/34

    摘要: 本发明提供了一种低温烧结柔性磁片及其制备方法,主要通过高能球磨机获得纳米级的铁氧体磁粉,并在其中掺杂玻璃粉,最终使其在较低温度下烧结得到结构致密的产品。因所用粉料粒径均匀度高,样品电磁性能的一致性也高。且低温下烧结不仅避免了烧结时磁片上下层粘连的问题,同时起到减少能耗、降低生产成本的作用。本发明主要步骤为原料混合,2)预烧,3)高能球磨,4)制浆,5)流延,6)烧结,7)覆膜裂片。最终得到一种低损耗高Bs、同时韧性强的磁片。

    一种抗冷热冲击低损耗锰锌功率铁氧体磁心及其制备方法

    公开(公告)号:CN116693282A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310772300.0

    申请日:2023-06-28

    IPC分类号: C04B35/38 C04B35/622 H01F1/36

    摘要: 本发明公开了一种抗冷热冲击低损耗锰锌功率铁氧体磁心,1)通过配料、混合、预烧及预烧料淬火处理,制备完全尖晶石化的预烧料;2)将预烧料烘干振磨,按照比例加入辅助添加物,分别通过砂磨和液体介质沉降分选得到粒度均匀分布的混合料浆;3)混合料浆中按比例加入PVA溶液进行离心喷雾造粒,得到成品颗粒料;4)将成品颗粒压制磁心坯件;5)将磁心烧结坯件,获得了一种抗冷热冲击低损耗锰锌功率铁氧体磁心。

    一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111943658B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202010623130.6

    申请日:2020-06-30

    摘要: 本发明涉及MnZn铁氧体材料领域,尤其是一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法,其包括主成分和辅助成分,主成分为:52.5‑53.8mol%的Fe2O3,8.8‑12mol%的ZnO,余量为MnO,辅助成分包括:0.35‑0.5wt%的Co2O3;0.03‑0.08wt%的CaSiO3;0.01‑0.04wt%的Nb2O5;0.05‑0.12wt%的TiO2;RE元素包括:0‑0.04wt%的Gd2O3;0‑0.02wt%的Ho2O3;0‑0.03wt%的Ce2O3中的一种或多种,以上辅助成分是相对于Fe2O3、MnO、ZnO的总量以重量百分比计算。其制备方法是将不同预烧条件获得的预烧料,按照一定比例进行混合,使不同预烧条件获得的预烧料分布均匀,将混合好的预烧料中加入辅助成分后一同研磨至平均粒径为1.2‑1.6μm。该方法制备锰锌铁氧体材料在25℃‑140℃温度范围内具有较低功率损耗、高磁导率、高饱和磁通密度。

    一种宽温低损耗高Bs锰锌铁氧体材料的制造方法

    公开(公告)号:CN113998999B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202210000433.1

    申请日:2022-01-04

    摘要: 本发明涉及锰锌铁氧体材料领域,公开了一种宽温低损耗高Bs锰锌铁氧体材料的制造方法,利用该方法制造的材料包括主成分和辅助成分,主成分为:Fe2O3、ZnO、Mn3O4,辅助成分包括:Co2O3、CaCO3、Nb2O5、ZrO2、Li2CO3、CCTO。本发明采用两次预烧的方式,将一次预烧后的预烧料进行破碎,消除粉料颗粒内外层预烧不充分或颗粒团聚造成的预烧料磁力及活性差异大的问题,并且在一次预烧后砂磨时加入CaCO3,在二次预烧后球磨时加入其余辅助成分,使得最终制备的锰锌铁氧体材料晶粒大小分布均匀、密度高,且在25℃‑140℃温度范围内具有低功率损耗、高磁导率、高Bs的特性。

    一种低温烧结柔性磁片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113716950A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111279412.X

    申请日:2021-11-01

    IPC分类号: C04B35/26 H01F1/34

    摘要: 本发明提供了一种低温烧结柔性磁片及其制备方法,主要通过高能球磨机获得纳米级的铁氧体磁粉,并在其中掺杂玻璃粉,最终使其在较低温度下烧结得到结构致密的产品。因所用粉料粒径均匀度高,样品电磁性能的一致性也高。且低温下烧结不仅避免了烧结时磁片上下层粘连的问题,同时起到减少能耗、降低生产成本的作用。本发明主要步骤为原料混合,2)预烧,3)高能球磨,4)制浆,5)流延,6)烧结,7)覆膜裂片。最终得到一种低损耗高Bs、同时韧性强的磁片。

    一种中宽频宽温低损耗MnZn铁氧体材料制备方法

    公开(公告)号:CN112573912A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011357656.0

    申请日:2020-11-27

    摘要: 本发明涉及一种具有宽温低损耗特性的中宽频MnZn铁氧体材料及其制备方法。以Fe2O3、MnO和ZnO为主要成分及添加剂辅助成分组成,主成分摩尔百分比:Fe2O3为52.5~53.5mol%,ZnO为8.8~9.8mol%,MnO为余量;按占主成分总重量计,其添加剂辅助成分各组分含量为:CaCO3为0.04~0.06%,Nb2O5为0.02~0.03%,Co2O3为0.35~0.45%,ZrO2为0.01~0.03%,SiO2为30~120ppm,其中Si元素以纳米级的气雾化SiO2形式进行添加。预烧料经二次球磨与液体介质沉降分选,以及通过造粒、压力成型与气氛/温度控制条件下的烧结等过程,制备得到具有宽温低损耗特性的中宽频MnZn铁氧体材料。其微结构致密、晶粒均匀,0~140℃的宽温范围内,100~500KHz的工作频率下具有较低的功率损耗,同时具备较高的饱和磁通密度和较高的磁导率。

    一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111943658A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010623130.6

    申请日:2020-06-30

    摘要: 本发明涉及MnZn铁氧体材料领域,尤其是一种宽温低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法,其包括主成分和辅助成分,主成分为:52.5-53.8mol%的Fe2O3,8.8-12mol%的ZnO,余量为MnO,辅助成分包括:0.35-0.5wt%的Co2O3;0.03-0.08wt%的CaSiO3;0.01-0.04wt%的Nb2O5;0.05-0.12wt%的TiO2;RE元素包括:0-0.04wt%的Gd2O3;0-0.02wt%的Ho2O3;0-0.03wt%的Ce2O3中的一种或多种,以上辅助成分是相对于Fe2O3、MnO、ZnO的总量以重量百分比计算。其制备方法是将不同预烧条件获得的预烧料,按照一定比例进行混合,使不同预烧条件获得的预烧料分布均匀,将混合好的预烧料中加入辅助成分后一同研磨至平均粒径为1.2-1.6μm。该方法制备锰锌铁氧体材料在25℃-140℃温度范围内具有较低功率损耗、高磁导率、高饱和磁通密度。