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公开(公告)号:CN116376840B
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202310346589.X
申请日:2023-04-03
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低强度超声刺激的三维脑类器官的培养方法,属于生物医学技术领域。本发明的培养方法首先培养脑类器官,然后通过低强度超声干预脑类器官的发育,通过分析全发育周期低强度超声对脑类器官结构的优化作用,并且研究了低强度超声刺激对人类异常纺锤体样小头畸形相关蛋白基因(ASPM)敲除的小头畸形脑类器官培养中的作用。本发明首次发现低强度超声刺激优化了脑类器官发育,可为研究神经系统发育过程提供可靠的、有效的体外研究模型,并为研究小头畸形等神经发育相关疾病的治疗提供新途径。
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公开(公告)号:CN116376840A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310346589.X
申请日:2023-04-03
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低强度超声刺激的三维脑类器官的培养方法,属于生物医学技术领域。本发明的培养方法首先培养脑类器官,然后通过低强度超声干预脑类器官的发育,通过分析全发育周期低强度超声对脑类器官结构的优化作用,并且研究了低强度超声刺激对人类异常纺锤体样小头畸形相关蛋白基因(ASPM)敲除的小头畸形脑类器官培养中的作用。本发明首次发现低强度超声刺激优化了脑类器官发育,可为研究神经系统发育过程提供可靠的、有效的体外研究模型,并为研究小头畸形等神经发育相关疾病的治疗提供新途径。
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