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公开(公告)号：CN116376840B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310346589.X
申请日：2023-04-03
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低强度超声刺激的三维脑类器官的培养方法，属于生物医学技术领域。本发明的培养方法首先培养脑类器官，然后通过低强度超声干预脑类器官的发育，通过分析全发育周期低强度超声对脑类器官结构的优化作用，并且研究了低强度超声刺激对人类异常纺锤体样小头畸形相关蛋白基因(ASPM)敲除的小头畸形脑类器官培养中的作用。本发明首次发现低强度超声刺激优化了脑类器官发育，可为研究神经系统发育过程提供可靠的、有效的体外研究模型，并为研究小头畸形等神经发育相关疾病的治疗提供新途径。
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公开(公告)号：CN117838366A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311861077.3
申请日：2023-12-31
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种小鼠嵌合脑‑电极复合体模型及其构建方法。在小鼠颅骨上构建自由开合的自体颅骨窗，再移除小鼠部分大脑皮层，形成空腔，向空腔中植入自主装皮质脑类器官，还纳颅骨盖并饲养小鼠至设定时间；然后打开并移除移植部位的颅窗，在非移植部位均匀安装多个颅钉，避开毛细血管，将小鼠的硬脑膜移除，再将与信号采集系统连接的柔性电极与颅骨面垂直植入移植部位中心，并将柔性电极上的地线缠绕在多个所述颅钉上，在植入过程中，当柔性电极丝触碰到皮层表面时，记为深度值的0点，直至到达目标深度；柔性电极与信号采集系统连接，使得单个个体长时程拥有稳定的电生理信号记录。
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公开(公告)号：CN117625534A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311307221.9
申请日：2023-10-10
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种脑类器官‑电子复合体的构建方法及应用，复合体主要包括脑类器官，电极，脑类器官固定支架和电极固定器。主要方法如下：1、体外培养自组织脑类器官；2、设计脑类器官的固定支架，控制脑类器官在植入中/植入后不发生移位；3、设计电极固定器；4、将电极植入体外培养的脑类器官，体外构建脑类器官‑电子复合体；5、持续检测脑类器官不同发育阶段的电生理活性；本发明的脑类器官‑电极复合体，能够实现脑类器官与柔性电极的长时间共生，记录脑类器官内部电生理活动及不同发育阶段脑类器官的电生理复杂度的变化。
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公开(公告)号：CN116420677A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310192512.1
申请日：2023-03-02
Applicant: 天津大学
IPC: A01K67/027 , A61K49/00
Abstract: 本发明公开一种嵌合脑小鼠模型及其构建方法和应用，属于生物技术领域。本发明通过将胚胎干细胞或诱导性多能干细胞诱导分化发育为脑类器官，将Nod‑SCID小鼠麻醉后暴露颅骨，寻找颅骨标志定位Bregma点，依冠状缝为颅骨绞合点，开矩形骨窗，将颅骨向上翻起，形成“铰链”结构，使用真空抽吸系统将暴露的皮层组织吸取，形成小空腔，接着使用显微镊将切割后的脑类器官植入空腔中，然后还纳颅骨，缝合头皮，待小鼠复苏后完成模型。通过此方法可以高效地构建嵌合脑小鼠模型，并获得较高的脑类器官存活率和有效脑类器官‑宿主皮层整合率。
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公开(公告)号：CN116376840A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310346589.X
申请日：2023-04-03
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低强度超声刺激的三维脑类器官的培养方法，属于生物医学技术领域。本发明的培养方法首先培养脑类器官，然后通过低强度超声干预脑类器官的发育，通过分析全发育周期低强度超声对脑类器官结构的优化作用，并且研究了低强度超声刺激对人类异常纺锤体样小头畸形相关蛋白基因(ASPM)敲除的小头畸形脑类器官培养中的作用。本发明首次发现低强度超声刺激优化了脑类器官发育，可为研究神经系统发育过程提供可靠的、有效的体外研究模型，并为研究小头畸形等神经发育相关疾病的治疗提供新途径。
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