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公开(公告)号：CN106921838A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710071497.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 天津大学
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域，为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式，满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度，低噪声的要求。本发明采用的技术方案是，带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC，包括比较器，锁存器，计数器，电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF，像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板，电容C3的下极板接地，电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端；并且，比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接，比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号。本发明主要应用于微电子学的模拟集成电路设计场合。
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公开(公告)号：CN112691703B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011591790.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明涉及乙酸甲酯水解反应的复盐离子液体催化剂及应用，催化剂为亲水型质子酸离子液体1‑丁基磺酸‑3‑甲基咪唑三氟甲烷磺酸盐与疏水型质子酸离子液体N,N,N‑三辛基‑N‑(3‑磺酸基‑丙基)铵双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐形成的复盐离子液体。1‑丁基磺酸‑3‑甲基咪唑三氟甲烷磺酸盐与N,N,N‑三辛基‑N‑(3‑磺酸基‑丙基)铵双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的摩尔比为1:3‑2:1。应用于乙酸甲酯水解反应；催化乙酸甲酯水解反应达到平衡所消耗的时间少，催化剂催化效率高，反应速度快，且催化剂容易回收，能够循环使用，不产生环境污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112276294B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011080288.X
申请日：2020-10-10
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种异质网格结构层状复合材料及其双丝电弧增材制造方法，该异质网格结构层状复合材料，由若干沉积层堆叠形成；所述沉积层包括若干数量相同形状、相等体积、沿横向和纵向均交替排列的硬质材料子单元和软质材料子单元；相邻所述沉积层之间的各硬质材料子单元和软质材料子单元均为交替排列；本发明利用增材制造技术层状堆积的特点，在单层沉积过程中，通过计算机程序编译送丝方式，使焊丝呈间歇性过渡，从而在单沉积层中实现异质材料的交替制备，在整体试样表现为异质网格层状复合材料。
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公开(公告)号：CN112691703A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011591790.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明涉及乙酸甲酯水解反应的复盐离子液体催化剂及应用，催化剂为亲水型质子酸离子液体1‑丁基磺酸‑3‑甲基咪唑三氟甲烷磺酸盐与疏水型质子酸离子液体N,N,N‑三辛基‑N‑(3‑磺酸基‑丙基)铵双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐形成的复盐离子液体。1‑丁基磺酸‑3‑甲基咪唑三氟甲烷磺酸盐与N,N,N‑三辛基‑N‑(3‑磺酸基‑丙基)铵双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的摩尔比为1:3‑2:1。应用于乙酸甲酯水解反应；催化乙酸甲酯水解反应达到平衡所消耗的时间少，催化剂催化效率高，反应速度快，且催化剂容易回收，能够循环使用，不产生环境污染。
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公开(公告)号：CN106921838B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201710071497.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 天津大学
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域，为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式，满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度，低噪声的要求。本发明采用的技术方案是，带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC，包括比较器，锁存器，计数器，电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF，像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板，电容C3的下极板接地，电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端；并且，比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接，比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号。本发明主要应用于微电子学的模拟集成电路设计场合。
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公开(公告)号：CN106534728A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610870599.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路设计领域，为提出一种基于微触点连接的新型CIS架构，从而实现CIS芯片的任意方向并且在一定弧度范围内的无限拼接，满足大尺寸面阵的需要，提高螺旋CT机的成像质量。本发明，用于螺旋CT机的CMOS图像传感器架构，由两层通过微触点连接的裸片构成，上层裸片由n行，m列像素阵列组成，光线由裸片的上方射入，而金属线分布在裸片的下方；下层的裸片包括行选通逻辑电路，列选通逻辑电路，读出电路以及缓存输出电路部分，上层裸片上的行选控制信号与下层螺片的行选通逻辑电路是通过采用微触点连接，上层裸片上的列输出总线与下层裸片上的列总线的连接也是通过微触点连接。本发明主要应用于模拟集成电路设计。
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公开(公告)号：CN112276294A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011080288.X
申请日：2020-10-10
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种异质网格结构层状复合材料及其双丝电弧增材制造方法，该异质网格结构层状复合材料，由若干沉积层堆叠形成；所述沉积层包括若干数量相同形状、相等体积、沿横向和纵向均交替排列的硬质材料子单元和软质材料子单元；相邻所述沉积层之间的各硬质材料子单元和软质材料子单元均为交替排列；本发明利用增材制造技术层状堆积的特点，在单层沉积过程中，通过计算机程序编译送丝方式，使焊丝呈间歇性过渡，从而在单沉积层中实现异质材料的交替制备，在整体试样表现为异质网格层状复合材料。
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