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公开(公告)号：CN111936562A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980023067.8
申请日：2019-03-27
Applicant: 国立大学法人广岛大学 , 大金工业株式会社
Abstract: 本发明提供机械强度、耐热性、表面粗糙度和强介电性优异的成型体。一种成型体，其是包含偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物的结晶的成型体，其特征在于，上述结晶为β晶，上述结晶是尺寸为100nm以下的纳米取向结晶，该成型体的算术平均粗糙度为3.0μm以下。
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公开(公告)号：CN119923445A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380068676.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 国立大学法人山形大学 , 大金工业株式会社
IPC: C08L101/00 , B32B15/082 , B32B15/20 , B32B27/30 , C08L27/12 , C08L67/00
Abstract: 本公开的目的是提供一种即使在氟树脂的比例增加的情况下也能抑制导致线料外观不良的氟树脂的凝集的组合物、成型体、层积体和树脂。本公开涉及一种组合物，其包含氟树脂A和在熔点+12℃下的熔体流动速率为30g/10分钟以上的树脂B(不包括上述氟树脂A)，上述氟树脂A和上述树脂B中的至少一者具有由下式表示的基团(I)(式中，R1和R2相同或不同，为氢或有机基团，可以相互键合而形成环状结构。由实线和虚线表示的双线为单键或双键。)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116964138A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280013090.0
申请日：2022-02-07
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08J7/00
Abstract: 本发明提供一种线膨胀率低的新型改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法。一种改性氟树脂材料，该改性氟树脂材料包含改性氟树脂，所述改性氟树脂包含四氟乙烯单元、基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元、以及叔碳，所述叔碳相对于四氟乙烯单元和所述改性单体单元的合计为0.001摩尔％～0.100摩尔％，与包含四氟乙烯单元、以及基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元且不包含叔碳的非改性氟树脂材料相比，20℃～200℃下的线膨胀率降低5％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111936562B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201980023067.8
申请日：2019-03-27
Applicant: 国立大学法人广岛大学 , 大金工业株式会社
Abstract: 本发明提供机械强度、耐热性、表面粗糙度和强介电性优异的成型体。一种成型体，其是包含偏二氟乙烯/四氟乙烯系共聚物的结晶的成型体，其特征在于，上述结晶为β晶，上述结晶是尺寸为100nm以下的纳米取向结晶，该成型体的算术平均粗糙度为3.0μm以下。
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公开(公告)号：CN111936561A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980023060.6
申请日：2019-03-27
Applicant: 大金工业株式会社
Abstract: 本发明提供机械强度和耐热性优异的成型体。一种成型体，其是包含含氟聚合物的结晶的成型体，其特征在于，上述含氟聚合物为选自由偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物、聚三氟氯乙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物和四氟乙烯/六氟丙烯共聚物组成的组中的至少一种，上述结晶是尺寸为300nm以下的纳米取向结晶。
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公开(公告)号：CN119948113A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068595.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L101/12 , C08L27/12
Abstract: 本公开的目的是提供一种即使在氟树脂的比例增加的情况下也能抑制导致线料外观不良的氟树脂的凝集的组合物、成型体、层积体和组合物的制造方法。本公开涉及一种组合物，其包含氟树脂A和在熔点+8℃下的熔体流动速率为30g/10分钟以上的树脂B(不包括上述氟树脂A)，上述氟树脂A是满足上述氟树脂A的MFR/上述树脂B的MFR＝0.2～10的树脂。
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