公开(公告)号：CN108559083B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201810410542.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 任伟民 ,  乐天俊 ,  顾格阁 ,  吕小兵

IPC: C08G75/28

Abstract: 本发明属于高分子材料领域，涉及一种结晶性聚单硫代碳酸酯的制备方法。内消旋环氧烷烃与羰基硫在手性催化剂作用下发生不对称共聚反应，形成具有高度全同结构的结晶性聚单硫代碳酸酯。该结晶性聚单硫代碳酸酯的聚合物链中单硫代碳酸酯单元含量大于99％；聚合物全同度为75％～99％；聚合物经过简单的热处理后即可得到半结晶性材料。本发明是通过羰基硫与内消旋环氧烷烃聚合而来，内消旋环氧烷烃来源广泛，因此可制备多种结晶性聚单硫代碳酸酯；本发明反应条件温和，催化剂活性高，聚合物选择性高；制备得到的聚单硫代碳酸酯结构可控、完全交替、没有氧硫交换，熔融温度较高，具有容易结晶、抗热形变能力强和折光指数高等优点。

公开(公告)号：CN108559083A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810410542.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 任伟民 ,  乐天俊 ,  顾格阁 ,  吕小兵

IPC: C08G75/28

Abstract: 本发明属于高分子材料领域，涉及一种结晶性聚单硫代碳酸酯的制备方法。内消旋环氧烷烃与羰基硫在手性催化剂作用下发生不对称共聚反应，形成具有高度全同结构的结晶性聚单硫代碳酸酯。该结晶性聚单硫代碳酸酯的聚合物链中单硫代碳酸酯单元含量大于99％；聚合物全同度为75％～99％；聚合物经过简单的热处理后即可得到半结晶性材料。本发明是通过羰基硫与内消旋环氧烷烃聚合而来，内消旋环氧烷烃来源广泛，因此可制备多种结晶性聚单硫代碳酸酯；本发明反应条件温和，催化剂活性高，聚合物选择性高；制备得到的聚单硫代碳酸酯结构可控、完全交替、没有氧硫交换，熔融温度较高，具有容易结晶、抗热形变能力强和折光指数高等优点。