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公开(公告)号：CN100385191C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410100460.8
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1304649C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510046477.4
申请日：2005-05-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁单晶的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉。其特征是本发明电弧炉的炉壳为中间带有气隙的双层椭圆柱形结构，电弧加热系统由直流冶炼电源、电极升降系统以及两根垂直安装的石墨电极构成，整个炉体为立式结构。本发明的效果和益处是电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时降低了对电网的冲击，提高了电能的利用率。另外，本发明也可适用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1632435A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410100460.8
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1316071C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410100459.5
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1900408A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610200189.4
申请日：2006-03-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: D06M10/02
Abstract: 本发明涉及到一种低温等离子体织物改性处理装置，特别涉及到一种电晕放电低温等离子体织物改性处理装置。其特征是利用超薄片状电极阵列引发强烈的电晕放电来产生活性等离子体区，通过调节放电气体组分来产生具有不同改性效果的等离子体区域，使织物连续通过该活性等离子体区而得到处理。装置主要由输料系统、电极系统、湿度调节装置、红外干燥装置、气密系统、电源和自动控制系统组成。本发明的效果和益处是结构简单可靠，造价低，运行费用低，无污染，具有较高的工业推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1863429A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610200605.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于气体放电技术领域，涉及到一种气体放电低温等离子体源，特别涉及到一种双孔式辉光放电低温等离子体源装置。本发明中，中空圆柱高压电极轴线通过圆孔地电极中心且与地电极平面垂直，高压气体通过中空圆柱喷入放电区，高压电极与地电极作为单元组成阵列布置在曲面上。依据本发明设计的双孔式辉光放电材料表面改性装置造价低廉，工作可靠，处理效率高具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103900375B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410156690.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 大连理工大学 , 营口东吉科技(集团)有限公司
IPC: F27B3/28
Abstract: 本发明涉及一种电弧炉冶炼电熔镁预防喷炉系统及方法，系统结构为：电流互感器与电弧炉三条水冷母线连接；感应的电流通过信号屏蔽线传送给电量变送器，电量变送器将感应的电流信号转换成标准的电量信号送到可编程控制器；压差变送器用于测量炉盖内部和炉盖外部的气体压强差，信号传送到可编程控制器上，可编程控制器对电弧炉水冷母线上的3路电流量和电弧炉内的气体压力值进行分析，得出是否会喷炉的结果，再将该结果变成两路开关信号，一路输送到电极调整机构，另一路输送到报警机构。通过试运行本系统及方法能够有效预防了喷炉事故的发生，保护现场工人的人身安全。该系统设计结构简单，可以直接在原有的电熔镁冶炼电弧炉设备的基础上加以改造实现。
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公开(公告)号：CN100455717C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610200189.4
申请日：2006-03-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: D06M10/02
Abstract: 本发明涉及到一种低温等离子体织物改性处理装置，特别涉及到一种电晕放电低温等离子体织物改性处理装置。其特征是利用超薄片状电极阵列引发强烈的电晕放电来产生活性等离子体区，通过调节放电气体组分来产生具有不同改性效果的等离子体区域，使织物连续通过该活性等离子体区而得到处理。装置主要由输料系统、电极系统、湿度调节装置、红外干燥装置、气密系统、电源和自动控制系统组成。本发明的效果和益处是结构简单可靠，造价低，运行费用低，无污染，具有较高的工业推广价值。
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公开(公告)号：CN1721588A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510046477.4
申请日：2005-05-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁单晶的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉。其特征是本发明电弧炉的炉壳为中间带有气隙的双层椭圆柱形结构，电弧加热系统由直流冶炼电源、电极升降系统以及两根垂直安装的石墨电极构成，整个炉体为立式结构。本发明的效果和益处是电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时降低了对电网的冲击，提高了电能的利用率。另外，本发明也可适用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1664176A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410100459.5
申请日：2004-12-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。
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