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公开(公告)号：CN100534257C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610200529.3
申请日：2006-08-22
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 丁振峰
Abstract: 本发明公开了一种用于射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统，用于抑制射频感性耦合放电中的寄生容性耦合，解决脉冲工艺以及电负性气体放电时与容性耦合相关的瞬时阻抗匹配、放电不稳定性等问题。本发明的特征是法拉第屏蔽系统由内置平面法拉第屏蔽和内置引燃击穿两部分组成。法拉第屏蔽采用两片分立式，每片金属中的裂缝为梳状结构。引燃击穿电压由感性耦合天线取出，通过射频共振、控制网络加置在引燃电极上。一组永久磁钢构成的非平衡磁控位形增强引燃放电，并将引燃放电等离子体输运至感性耦合放电区。本发明提出的法拉第屏蔽系统具有能量效率高、耦合电流驻波效应小、等离子体密度角向均匀性好、易于起始击穿的优点。
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公开(公告)号：CN101140318A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710157592.8
申请日：2007-10-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R33/02 , G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种共振型射频磁探针。其特征是该探针采用共振型变压器提高输出电压幅值，同时采用平面分立式法拉第屏蔽抑制变压器原、副线圈之间寄生的容性耦合，解决射频磁场测量中输出信号低、共模干扰大的问题。本发明的共振型射频磁探针由探针线圈和带法拉第屏蔽的共振变压器组成。共振变压器具有空心平面原、副线圈，原线圈具有接地的中心抽头，线圈两边并联可变电容，副线圈端串联可变电容。法拉第屏蔽结构置于共振变压器的原、副线圈之间，采用两片分立式。本发明的益处是磁探针结构简单、成本低且信噪比高。
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公开(公告)号：CN1863429A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610200605.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于气体放电技术领域，涉及到一种气体放电低温等离子体源，特别涉及到一种双孔式辉光放电低温等离子体源装置。本发明中，中空圆柱高压电极轴线通过圆孔地电极中心且与地电极平面垂直，高压气体通过中空圆柱喷入放电区，高压电极与地电极作为单元组成阵列布置在曲面上。依据本发明设计的双孔式辉光放电材料表面改性装置造价低廉，工作可靠，处理效率高具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN100489035C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610134662.3
申请日：2006-12-05
Abstract: 本发明涉及一种芳纶纤维增强聚芳醚砜酮树脂基复合材料的界面改性方法，该方法是采用低温等离子体技术处理气氛为氧气、氮气、空气、氨气或氩气，处理功率为10～400W，处理时间为1～30分钟，处理腔体内的气体压强为低压1～100Pa、常压或高压1.01×105～106Pa，对Armoc芳纶纤维进行表面刻蚀和表面接枝改性，将改性后的Armoc纤维与质量百分含量为5-50%的聚芳醚砜酮树脂溶液浸渍制备单向Armoc纤维增强聚芳醚砜酮树脂基复合材料预浸料，通过热压成型工艺技术，制备成Armoc纤维增强聚芳醚砜酮树脂基复合材料。改性后的Armoc纤维与聚芳醚砜酮树脂基体能形成良好的界面层，最大限度地发挥了复合材料的综合性能，其复合材料可满足耐高温环境的使用要求，可实现批量、连续、大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN1978530A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610134662.3
申请日：2006-12-05
Abstract: 本发明涉及一种芳纶纤维增强聚芳醚砜酮树脂基复合材料的界面改性方法，该方法是采用低温等离子体技术处理气氛为氧气、氮气、空气、氨气或氩气，处理功率为10～400W，处理时间为1～30分钟，处理腔体内的气体压强为低压1～100Pa、常压或高压1.01×105～106Pa，对Armoc芳纶纤维进行表面刻蚀和表面接枝改性，将改性后的Armoc纤维与质量百分含量为5－50％的聚芳醚砜酮树脂溶液浸渍制备单向Armoc纤维增强聚芳醚砜酮树脂基复合材料预浸料，通过热压成型工艺技术，制备成Armoc纤维增强聚芳醚砜酮树脂基复合材料。改性后的Armoc纤维与聚芳醚砜酮树脂基体能形成良好的界面层，最大限度地发挥了复合材料的综合性能，其复合材料可满足耐高温环境的使用要求，可实现批量、连续、大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110985323A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911297380.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种圆板天线交叉磁场微波电子回旋共振离子推进器，属于微小卫星电推进技术领域。采用圆板天线馈入微波能量，降低了天线的微波功率密度，抑制了天线起弧，提高了截止功率密度，增加了共振区的横向微波电场强度，降低了击穿功率，提高了等离子体产生效率，同时提高了等离子体径向均匀性。用圆弧形磁钢块组成了闭合的永久磁钢柱体，与端面环形磁场构成交叉磁场，径向、轴向磁梯度力有效地约束、驱动离子，提高了离子产生效率。同时，闭合磁场降低了磁钢间隙弱磁场处的带电粒子泄露。在优化的共振区分布下，采用薄铝板即可覆盖前端面的电子回旋共振区，抑制该区域的局部强放电，提高等离子体产生效率，进一步提高了推进器的性能。
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公开(公告)号：CN1905777A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610200529.3
申请日：2006-08-22
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 丁振峰
Abstract: 本发明公开了一种用于射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统，用于抑制射频感性耦合放电中的寄生容性耦合，解决脉冲工艺以及电负性气体放电时与容性耦合相关的瞬时阻抗匹配、放电不稳定性等问题。本发明的特征是法拉第屏蔽系统由内置平面法拉第屏蔽和内置引燃击穿两部分组成。法拉第屏蔽采用两片分立式，每片金属中的裂缝为梳状结构。引燃击穿电压由感性耦合天线取出，通过射频共振、控制网络加置在引燃电极上。一组永久磁钢构成的非平衡磁控位形增强引燃放电，并将引燃放电等离子体输运至感性耦合放电区。本发明提出的法拉第屏蔽系统具有能量效率高、耦合电流驻波效应小、等离子体密度角向均匀性好、易于起始击穿的优点。
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公开(公告)号：CN1852632A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610200528.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 丁振峰
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明涉及了一种基片电极调谐型射频感性耦合等离子体源。其特征是具有上、下真空室、基片电极、外部调谐网络，射频天线采用柱面耦合方式，基片电极采用叠片绝缘屏蔽，通过外部可变电容、固定电感组成的调谐网络接地。本发明提出的电极调谐型射频感性耦合等离子体源结构简单、系统成本低，不但具有射频感性耦合等离子体的优点，同时能相对独立地增强和抑制基片离子轰击。
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公开(公告)号：CN1837285A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510047183.3
申请日：2005-09-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 连续纤维增强含二氮杂环新型聚芳醚树脂基复合材料的界面改性方法属于先进复合材料科学技术领域。通过对纤维表面进行冷等离子体刻蚀、接枝，与树脂基体复合制备而成；等离子体处理所使用的气氛为氩气、氮气、氧气和空气等，处理功率为50～250W，处理时间为1～30分钟，接枝剂包括PPESK、马来酸酐、聚醚酰亚胺、苯乙烯等，经表面改性后的纤维，在改善其对基体浸润性和粘结性的同时，其复合材料层间剪切强度也有显著提高，使其具有更加优异的综合性能。从而使复合材料能够满足耐300℃及以上的高温环境的使用要求。不仅在飞行器结构制造、宇航机械和火箭外壳等特殊用途，在一般民用方面的用途也十分广泛具有很大的实用价值。
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公开(公告)号：CN110985323B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911297380.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种圆板天线交叉磁场微波电子回旋共振离子推进器，属于微小卫星电推进技术领域。采用圆板天线馈入微波能量，降低了天线的微波功率密度，抑制了天线起弧，提高了截止功率密度，增加了共振区的横向微波电场强度，降低了击穿功率，提高了等离子体产生效率，同时提高了等离子体径向均匀性。用圆弧形磁钢块组成了闭合的永久磁钢柱体，与端面环形磁场构成交叉磁场，径向、轴向磁梯度力有效地约束、驱动离子，提高了离子产生效率。同时，闭合磁场降低了磁钢间隙弱磁场处的带电粒子泄露。在优化的共振区分布下，采用薄铝板即可覆盖前端面的电子回旋共振区，抑制该区域的局部强放电，提高等离子体产生效率，进一步提高了推进器的性能。
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