直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置

    公开(公告)号:CN104772305B

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201510185627.3

    申请日:2015-04-20

    Abstract: 本发明提供一种直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置,包括级联弧等离子体炬发生系统、冷却水供给系统、支撑系统和反射率检测系统,所述级联弧等离子体炬发生系统包括真空腔室、级联源、直流电源、真空单元、供气单元和冷却单元,所述级联源设置在真空腔室的一端,所述直流电源与级联源电连,所述供气单元与级联源通过管路连接,所述真空单元与真空腔室连接,所述冷却单元设置在级联源内。本发明直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置结构简单、合理、紧凑,该装置基于直流级联弧等离子体炬技术,能够在不引入杂质的前提下,实现对第一镜样品表面杂质沉积层的大面积均匀清洗,快速去除杂质沉积层。

    直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的方法

    公开(公告)号:CN104772306A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510185904.0

    申请日:2015-04-20

    CPC classification number: B08B7/0035 B08B11/00

    Abstract: 本发明提供一种直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的方法,包括以下步骤:预先设定工作气体以及测定标准灯的发射光谱;相继打开真空设备、水冷设备和进气设备,完成直流级联弧等离子体炬放电的准备工作;放电产生直流级联弧等离子体炬,并对第一镜样品进行清洗;改变相关清洗参数,对第一镜样品实施个性化清洗;清洗一定时间后原位检测第一镜样品反射率恢复情况,根据检测结果确定是否继续清洗;如果需要继续清洗,则重复清洗直至达到清洗要求。本发明采用的直流级联弧等离子体炬可调放电参数多、方向性好、无杂质,能实现大面积、长距离、均匀快速去除第一镜表面的杂质沉积层,并完成在线检测反射率。

    一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置及产生方法

    公开(公告)号:CN107426908A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710569131.5

    申请日:2017-07-13

    Abstract: 本发明提供一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置及产生方法。等离子体产生装置包括真空系统、等离子体发生系统和基座;真空系统包括真空腔室、真空泵、真空蝶阀和真空规;等离子体发生系统包括上介质板、下介质板、低频交流电源、高频射频电源、上电极和下电极,上介质板嵌设在下介质板背离基座的一侧,上介质板与下介质板间包覆有下电极,上介质板背离下电极、且与下电极相对应处设置有上电极,上电极与上介质板之间设置有绝缘材料;低频交流电源与下电极连接,高频射频电源与下电极连接,上电极接地处理。该装置结构简单,基于介质阻挡放电技术与双频容性耦合技术,可在较低气压下,实现大面积、高密度等离子体放电。

    直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置

    公开(公告)号:CN104772305A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510185627.3

    申请日:2015-04-20

    CPC classification number: B08B7/0035

    Abstract: 本发明提供一种直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置,包括级联弧等离子体炬发生系统、冷却水供给系统、支撑系统和反射率检测系统,所述级联弧等离子体炬发生系统包括真空腔室、级联源、直流电源、真空单元、供气单元和冷却单元,所述级联源设置在真空腔室的一端,所述直流电源与级联源电连,所述供气单元与级联源通过管路连接,所述真空单元与真空腔室连接,所述冷却单元设置在级联源内。本发明直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置结构简单、合理、紧凑,该装置基于直流级联弧等离子体炬技术,能够在不引入杂质的前提下,实现对第一镜样品表面杂质沉积层的大面积均匀清洗,快速去除杂质沉积层。

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